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资料编号:1101106
 
资料名称:2SK3474-01
 
文件大小: 101K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
 
 


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2
0.1 1 10 100
0.1
1
10
100
gfs [s]
id [a]
典型 跨导
012345678910
0.1
1
10
100
ID[A]
VGS[V]
典型 转移 典型的
0123456
0
10
20
30
40
50
20V
7.0v
10V 8V
6.5v
7.5v
6.0v
id [a]
vds [v]
典型 输出 特性
vgs=5.5v
特性
2sk3474-01
fuji 电源 场效应晶体管
id=f(vgs):80µs 脉冲波 测试, vds=25v,tch=25°c
gfs=f(id):80µs 脉冲波 测试, vds=25v,tch=25°c
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
7.0v
6.5v
rds(在) [
]
id [a]
典型 流-源 在-状态 阻抗
10V
20V
8V
7.5v
6.0v
VGS=
5.5v
rds(在)=f(id):80µs 脉冲波 测试, tch=25°c
0255075100125150
0
1
2
3
4
5
表面 挂载 在
1000mm2,t=1.6mm fr-4 pcb
(流 垫子 范围 : 500mm2)
容许的 电源 消耗
pd=f(tc)
pd [w]
tc [
°
C]
0 25 50 75 100 125 150
0
25
50
75
100
125
150
175
200
容许的 电源 消耗
pd=f(tc)
pd [w]
tc [
°
C]
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