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资料编号:1101106
 
资料名称:2SK3474-01
 
文件大小: 101K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
 
 


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3
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
rds(在) [ m
]
tch [
°
C]
典型值
最大值
流-源 在-状态 阻抗
rds(在)=f(tch):id=11.5a,vgs=10v
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00
0.1
1
10
100
如果 [a]
vsd [v]
典型 向前 特性 的 反转 二极管
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
2
4
6
8
10
12
14
qg [c]
典型 门 承担 特性
vgs [v]
72V
48V
vcc= 36v
2sk3474-01
fuji 电源 场效应晶体管
vgs=f(qg):id=23a, tch=25°c
如果=f(vsd):80µs 脉冲波 测试,tch=25°c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
最大值
典型值
最小值
门 门槛 电压 vs. tch
vgs(th)=f(tch):vds=vgs,id=1ma
vgs(th) [v]
tch [
°
C]
10
-1
10
0
10
1
10
2
10p
100p
1n
10n
c [f]
vds [v]
典型 电容
c=f(vds):vgs=0v,f=1mhz
Crss
Coss
Ciss
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
10
3
典型 切换 特性 vs. id
td(在)
tr
tf
td(止)
t [ns]
id [a]
t=f(id):vcc=48v, vgs=10v, rg=10
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