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资料编号:1101106
 
资料名称:2SK3474-01
 
文件大小: 101K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
 
 


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4
2sk3474-01
fuji 电源 场效应晶体管
0 1000 2000 3000 4000 5000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
rth(ch-一个) [
o
c/w]
流 垫子 范围 [mm
2
]
热的 阻抗 vs. 流 垫子 范围
t=1.6mm fr-4 pcb
0 25 50 75 100 125 150
0
100
200
300
400
500
I
=14A
I
=33A
I
=20A
E
[mJ]
开始 tch [
°
C]
最大 avalanche 活力 vs. 开始 tch
E
=f(开始 tch):vcc=48v
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
单独的 脉冲波
最大 avalanche 电流 pulsewidth
I
AV
=f(t
AV
):开始 tch=25
°
c,vcc=48v
avalanche 电流 i
AV
[A]
t
AV
[sec]
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
最大 瞬时 热的 阻抗
zth(ch-c)=f(t):d=0
zth(ch-c) [°c/w]
t [sec]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
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