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资料编号:1103090
 
资料名称:PS21964-S
 
文件大小: 89K
   
说明
 
介绍:
TRANSFER-MOLD TYPE INSULATED TYPE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mitsubishi 半导体 <双-在-线条 包装 intelligent 电源 单元>
ps21963-s
转移-模型 类型
insulated 类型
六月. 2005
2.20
2.30
2.20
1.70
0.60
2.10
0.80
1
10
3.7
4.5
毫安
V
T
j
= 25
°
C
T
j
°
C
I
C
= 10a, t
j
= 25
°
C
I
C
= 10a, t
j
= 125
°
C
V
ce(sat)
V
EC
t
t
rr
t
c(在)
t
t
c(止)
I
CES
ConditionSymbol 参数
限制
反相器 fwd 部分 (每 1/6 单元)
R
th(j-c)q
R
th(j-c)f
最小值
热的 阻抗
典型值 最大值
单位
T
j
= 25
°
c,
I
C
= 10a, v
= 0v
情况
标识 参数
限制
最小值 典型值 最大值
0.60
单位
电的 特性
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
集电级-发射级 饱和
电压
fwd 向前 电压
接合面 至 情况 热的
阻抗 (便条 3)
V
D
= v
DB
= 15v
V
= 5v
切换 时间
V
CC
= 300v, v
D
DB
I
C
= 10a, t
j
= 125
°
c, v
= 0
5V
inductive 加载 (upper-更小的 arm)
集电级-发射级 截-止
电流
V
CE
CES
1.70
1.80
1.70
1.10
0.30
0.40
1.50
0.50
V
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
°
c/w
°
c/w
控制 (保护) 部分
便条 4 :
短的 电路 保护 是 起作用 仅有的 为 这 更小的-arms. 请 选择 这 外部 调往 阻抗 此类 那 这 sc trip-水平的 是
较少 比 1.7 时间 的 这 电流 比率.
5:
故障 信号 是 asserted 相应的 至 一个 短的 电路 或者 更小的 一侧 控制 供应 下面-电压 失败.
标识
I
D
V
FOH
V
FOL
V
sc(ref)
I
UV
DBt
UV
DBr
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
th(在)
V
th(止)
V
th(hys)
参数 情况
限制
单位
电路 电流
故障 输出 电压
短的 电路 trip 水平的
保护
故障 输出 脉冲波 宽度
在 门槛 电压
止 门槛 电压
开关 门槛 hysteresis
电压
V
D
= v
DB
= 15v
V
= 5v
总的 的 v
P1
-v
NC
, v
N1
-v
NC
V
UFB
-u, v
VFB
-v, v
WFB
-w
V
SC
= 0v, f
O
终端 拉-向上 至 5v 用 10k
V
SC
= 1v, i
FO
= 1ma
T
j
= 25
°
c, v
D
= 15v (便条 4)
V
= 5v
trip 水平的
重置 水平的
trip 水平的
重置 水平的
(便条 5)
应用 在 u
P
, v
P
, w
P
, u
N
, v
N
, w
N
-v
NC
4.9
0.43
0.70
10.0
10.5
10.3
10.8
20
0.8
0.35
0.48
1.00
2.1
1.3
0.65
2.80
0.55
2.80
0.55
0.95
0.53
1.50
12.0
12.5
12.5
13.0
2.6
最小值 典型值 最大值
毫安
V
V
V
毫安
V
V
V
V
µ
s
V
V
V
V
D
= v
DB
= 15v
V
= 0v
总的 的 v
P1
-v
NC
, v
N1
-v
NC
V
UFB
-u, v
VFB
-v, v
WFB
-w
T
j
125
°
C
便条 3 :
grease 和 好的 热的 conductivity 应当 是 应用 evenly 和 关于 +100
µ
m~+200
µ
m 在 这 contacting 表面 的 插件-ipm
和 热温-下沉.
这 contacting 热的 阻抗 在 插件-ipm 情况 和 热温 下沉 (r
th(c-f)
) 是 决定 用 这 厚度 和 这 热的
conductivity 的 这 应用 grease. 为 涉及, r
th(c-f)
(每 1/6 单元) 是 关于 0.3
°
c/w 当 这 grease 厚度 是 20
µ
m 和
这 热的 conductivity 是 1.0w/m
·
k.
输入 电流
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