半导体 组件 industries, llc, 2005
12月, 2005 −rev. 0
1
发行 顺序 号码:
ntljf4156n/d
NTLJF4156N
电源 场效应晶体管 和
肖特基 二极管
30 v, 4.0 一个, n−channel, 和 1.0 一个
肖特基 屏障 二极管, sc−88fl
2x2 mm,
Cool
包装
特性
•
无铅 smd 包装 featuring 一个 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
•
更好的 热的 阻抗 比 tsop−6 包装
•
R
ds(在)
评估 在 低 v
gs(在)
水平, v
GS
= 1.5 v
•
低 v
F
肖特基
•
这个 是 一个 pb−free 设备
产品
•
dc−dc 转换器
•
li−ion 电池 产品 在 cell phones, pda’s, 媒介 播放机
•
颜色 显示 和 camera flash regulators
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 值 单位
drain−to−source voltage V
DSS
30 V
gate−to−source voltage V
GS
±
8.0 V
持续的 流
电流 (便条 1)
稳步的
状态
T
J
= 25
°
C
I
D
3.0
一个
T
J
= 85
°
C 2.4
t
≤
5 s T
J
= 25
°
C 4.0
电源 消耗
(便条 1)
稳步的
状态
T
J
= 25
°
C
P
D
1.21
W
t
≤
5 s 2.08
持续的 流
电流 (便条 2)
稳步的
状态
T
J
= 25
°
C
I
D
2.0
一个
T
J
= 85
°
C 1.4
电源 消耗
(便条 2)
T
J
= 25
°
C
P
D
0.44
搏动 流 电流
t
p
= 10
s
I
DM
17 一个
运行 接合面 和 存储 温度 T
J
, t
STG
−55 至
150
°
C
源 电流 (身体 二极管) (便条 2) I
S
2.4 一个
含铅的 温度 为 焊接 目的
(1/8
″
从 情况 为 10 s)
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. 表面挂载 在 fr4 板 使用 1 在 sq 垫子 大小 (cu 范围 = 1.127 在 sq
[1 oz] 包含 查出).
2. 表面挂载 在 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小.
1
2
3
6
5
4
一个
n/c
D
K
G
S
http://onsemi.com
30 v
30 v
90 m
@ 2.5 v
70 m
@ 4.5 v
1.0 一个
R
ds(在)
最大值
4.0 一个
0.48 v
I
D
最大值
(便条 1)
V
(br)dss
场效应晶体管
肖特基 二极管
V
R
最大值 I
F
最大值V
F
典型值
125 m
@ 1.8 v
250 m
@ 1.5 v
G
S
n−channel 场效应晶体管
D
K
一个
肖特基 二极管
JL = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
= pb−free 包装
(便条: microdot 将 是 在 也 location)
JLM
1
2
3
6
5
4
DFN6
情况 506an
标记
图解
(顶 视图)
1
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在页 8 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
管脚 连接
K
D
: 点此下载
