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2
肖特基 二极管 最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数
标识 值 单位
顶峰 repetitive 反转 电压 V
RRM
30 V
直流 blocking 电压 V
R
30 V
平均 调整的 向前 电流 I
F
1.0 一个
热的 阻抗 比率
参数 标识 最大值 单位
junction−to−ambient – 稳步的 状态 (便条 3)
R
JA
103
°
c/w
junction−to−ambient – t
≤
5 s (便条 3)
R
JA
60
junction−to−ambient – 稳步的 状态 最小值 垫子 (便条 4)
R
JA
285
junction−to−ambient − 搏动 (50/50 职责 循环) 最小 垫子 (便条 4)
R
JA
115
3. 表面 挂载 在 fr4 板 使用 1 在 sq 垫子 大小 (cu 范围 = 1.127 在 sq [2 oz] 包含 查出).
4. 表面 挂载 在 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小.
场效应晶体管 电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数
标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个
30 V
drain−to−source 损坏 电压
温度 系数
V
(br)dss
/t
J
I
D
= 250
一个, ref 至 25
°
C
18.1 mv/
°
C
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C 1.0
一个
T
J
= 125
°
C 10
gate−to−source 泄漏 电流 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
±
8.0 v 100 nA
在 特性
(便条 5)
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
一个
0.4 0.7 1.0 V
门 门槛
温度 系数
V
gs(th)
/t
J
2.8 mv/
°
C
drain−to−source on−resistance R
ds(在)
V
GS
= 4.5, i
D
= 2.0 一个 47 70 m
V
GS
= 2.5, i
D
= 2.0 一个 56 90
V
GS
= 1.8, i
D
= 1.8 一个 88 125
V
GS
= 1.5, i
D
= 1.5 一个 133 250
向前 跨导 g
FS
V
DS
= 10 v, i
D
= 2.0 一个 4.5 S
charges, capacitances 和 门 阻抗
输入 电容
C
ISS
V
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz,
V
DS
= 15 v
427
pF
输出 电容 C
OSS
51
反转 转移 电容 C
RSS
32
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 4.5 v, v
DS
= 15 v,
I
D
= 2.0 一个
5.4 6.5
nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
0.5
gate−to−source 承担 Q
GS
0.8
gate−to−drain 承担 Q
GD
1.24
门 阻抗 R
G
3.7
5. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
6. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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