半导体 组件 industries, llc, 2005
12月, 2005 −rev. 0
1
发行 顺序 号码:
ntljs3113p/d
NTLJS3113P
电源 场效应晶体管
−20 v, −9.5 一个, 单独的 p−channel,
sc−88fl 2x2 mm,
Cool
包装
特性
•
Cool
包装 提供 exposed 流 垫子 为 极好的 热的
传导
•
2x2 mm footprint 一样 作 sc−88 包装
•
最低 r
ds(在)
解决方案 在 2x2 mm 包装
•
1.5 v r
ds(在)
比率 为 运作 在 低 电压 逻辑 水平的 门
驱动
•
低 profile (< 0.8 mm) 为 容易 合适 在 薄的 环境
•
这个 是 一个 pb−free 设备
产品
•
dc−dc 转换器 (buck 和 boost 电路)
•
优化 为 电池 和 加载 管理 产品 在
可携带的 设备 此类 作, cell phones, pda’s, 媒介 播放机, 等
•
高 一侧 加载 转变
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 值 单位
drain−to−source voltage V
DSS
−20 V
gate−to−source voltage V
GS
±
8.0 V
持续的 流
电流 (便条 1)
稳步的
状态
T
一个
= 25
°
C
I
D
−6.4
一个
T
一个
= 85
°
C −4.6
t
≤
5 s T
一个
= 25
°
C −9.5
电源 消耗
(便条 1)
稳步的
状态
T
一个
= 25
°
C
P
D
2.3
W
t
≤
5 s 5.0
持续的 流
电流 (便条 2)
稳步的
状态
T
一个
= 25
°
C
I
D
−3.0
一个
T
一个
= 85
°
C −2.2
电源 消耗
(便条 2)
T
一个
= 25
°
C
P
D
0.53 W
搏动 流 电流
t
p
= 10
s
I
DM
−30 一个
运行 接合面 和 存储 温度 T
J
, t
STG
−55 至
150
°
C
源 电流 (身体 二极管) (便条 2) I
S
−4.0 一个
含铅的 温度 为 焊接 目的
(1/8
″
从 情况 为 10 s)
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. 表面挂载 在 fr4 板 使用 1 在 sq 垫子 大小 (cu 范围 = 1.127 在 sq
[2 oz] 包含 查出).
2. 表面挂载 在 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小.
http://onsemi.com
−20 v
50 m
@ −2.5 v
40 m
@ −4.5 v
R
ds(在)
最大值
−9.5 一个
I
D
最大值
(便条 1)
V
(br)dss
75 m
@ −1.8 v
200 m
@ −1.5 v
G
S
p−channel 场效应晶体管
D
J8 = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
= pb−free 包装
(便条: microdot 将 是 在 也 location
)
J8M
1
2
3
6
5
4
SC−88FL
情况 506ap
标记
图解
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
NTLJS3113PT1G DFN6
(pb−free)
3000/录音带 &放大; reel
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
1
2
3
6
5
4
D
D
G
D
D
S
(顶 视图)
管脚 连接
D
S
S
D
管脚 1
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