首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1118804
 
资料名称:NTJS3151P
 
文件大小: 84K
   
说明
 
介绍:
Trench Power MOSFET 12 V, 3.3A, Single P-Channel ESD Protected SC-88
 
 


: 点此下载
  浏览型号NTJS3151P的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号NTJS3151P的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号NTJS3151P的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号NTJS3151P的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号NTJS3151P的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTLJS3113P
http://onsemi.com
3
典型 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
1
0.05
32
0.03
0.01
0.08
47
1.3
1.5
1.1
0.9
0.7
10000
0621
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
−I
D
, 流 电流 (放大器)
0
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
−I
D
, 流 电流 (放大器)
1.0 2.01.5
0.02
3.0
图示 3. on−resistance 相比 流 电流
−I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
−I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
−I
DSS
, 泄漏 (na)
7
−50 50250−25 75 125100
1
212104
3
1
2
V
DS
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= −1.8 v
V
GS
= 0 v
I
D
= −6 一个
V
GS
= −4.5 v
3
0.04
T
J
= 100
°
C
T
J
= 150
°
C
2
0
9
1.5
T
J
= 25
°
C
20
V
GS
= −1.7 v 至 −8 v
−1.5 v
3
1000
4
4
0
4
0.03
0.02
T
J
= 25
°
C
150
10
100000
2.5
−1.4 v
−1.3 v
−1.2 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= −4.5 v
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
0.04
V
GS
= −4.5 v
V
GS
= −2.5 v
6 8 14 16 18
20.5
2.5
5
5
6
5
6
−1.6 v
−1.1 v
8
1
3
5
7
0.07
0.06
6
100
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com