NTLJS3113P
http://onsemi.com
2
热的 阻抗 比率
参数 标识 最大值 单位
junction−to−ambient – 稳步的 状态 (便条 3)
R
JA
55
°
c/w
junction−to−ambient – t
≤
5 s (便条 3)
R
JA
25
junction−to−ambient – 稳步的 状态 最小值 垫子 (便条 4)
R
JA
235
3. 表面 挂载 在 fr4 板 使用 1 在 sq 垫子 大小 (cu 范围 = 1.127 在 sq [1 oz] 包含 查出).
4. 表面 挂载 在 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小 (30 mm
2
, 1 oz cu).
场效应晶体管 电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数
标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= −250
一个
−20 V
drain−to−source 损坏 电压
温度 系数
V
(br)dss
/t
J
I
D
= −250
一个, ref 至 25
°
C
−10.1 mv/
°
C
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= −24 v, v
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C −1.0
一个
T
J
= 125
°
C −10
gate−to−source 泄漏 电流 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
±
8.0 v
±
1.0
一个
在 特性
(便条 5)
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= −250
一个
−0.45 −0.67 −1.0 V
负的 门 门槛
温度 系数
V
gs(th)
/t
J
2.68 mv/
°
C
drain−to−source on−resistance R
ds(在)
V
GS
= −4.5, i
D
= −3.0 一个 32 40
m
V
GS
= −2.5, i
D
= −3.0 一个 44 50
V
GS
= −1.8, i
D
= −2.0 一个 67 75
V
GS
= −1.5, i
D
= −1.8 一个 90 200
向前 跨导 g
FS
V
DS
= −16 v, i
D
= −3.0 一个 5.9 S
charges, capacitances 和 门 阻抗
输入 电容
C
ISS
V
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz,
V
DS
= −16 v
1329
pF
输出 电容 C
OSS
213
反转 转移 电容 C
RSS
120
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= −4.5 v, v
DS
= −16 v,
I
D
= −3.0 一个
13 15.7
nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
1.5
gate−to−source 承担 Q
GS
2.2
gate−to−drain 承担 Q
GD
2.9
门 阻抗 R
G
14.4
切换 特性
(便条 6)
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
V
GS
= −4.5 v, v
DD
= −10 v,
I
D
= −3.0 一个, r
G
= 3.0
6.9
ns
上升 时间 t
r
17.5
turn−off 延迟 时间 t
d(止)
60
下降 时间 t
f
56.5
drain−source 二极管 特性
向前 恢复 电压
V
SD
V
GS
= 0 v, 是 = −1.0 一个
T
J
= 25
°
C −0.78 −1.2
V
T
J
= 125
°
C −0.67
反转 恢复 时间 t
RR
V
GS
= 0 v, d
ISD
/d
t
= 100 一个/
s,
I
S
= −1.0 一个
70.8 106
ns
承担 时间 t
一个
14.3
释放 时间 t
b
56.4
反转 恢复 时间 Q
RR
44 nC
5. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
6. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
: 点此下载
