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资料编号:1118850
 
资料名称:NTD6600N
 
文件大小: 68K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 100 V, 12 A, N-Channel, Logic Level DPAK
 
 


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NTD95N02R
http://onsemi.com
2
热的 阻抗 比率
参数 标识 单位
junction−to−case (流)
R
JC
1.45
°
c/w
junction−to−ambient – 稳步的 状态 (便条 3)
R
JA
52
junction−to−ambient – 稳步的 状态 (便条 4)
R
JA
100
3. 表面 挂载 在 fr4 板 使用 1 在 sq 垫子 大小 (cu 范围 = 1.127 在 sq [1 oz] 包含 查出).
4. 表面 挂载 在 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小 (cu 范围 = 0.412 在 sq).
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数
标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个
24 29 V
drain−to−source 损坏 电压
温度 系数
V
(br)dss
/t
J
15 mv/
°
C
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
GS
= 0 v, v
DS
= 20 v
T
J
= 25
°
C 1.5
一个
T
J
= 125
°
C 10
gate−to−source 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
±
20 v
±
100 nA
在 特性
(便条 5)
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
一个
1.0 2.0 V
负的 门槛 温度
系数
V
gs(th)
/t
J
5.0 mv/
°
C
drain−to−source on−resistance R
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 10 一个
5.9 8.0
m
V
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个
4.5 5.0
向前 跨导 gFS V
GS
= 10 v, i
D
= 10 一个 30
S
charges, capacitances 和 门 阻抗
输入 电容
C
ISS
V
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz, v
DS
= 20 v
2400
pF
输出 电容 C
OSS
1020
反转 转移 电容 C
RSS
390
总的 门 承担
Q
T
V
GS
= 4.5 v, v
DS
= 10 v; i
D
= 10 一个
21
nC
Q
GS
4.4
Q
GD
9.1
切换 特性
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
V
GS
= 10 v, v
DD
= 10 v,
I
D
= 30 一个, r
G
= 3
10
ns
上升 时间 t
r
82
turn−off 时间 t
d(止)
26
下降 时间 t
f
70
drain−source 二极管 特性
向前 二极管 电压
V
SD
V
GS
= 0 v, i
S
= 20 一个 T
J
= 25
°
C 0.83 1.2 V
反转 恢复 时间 t
RR
V
GS
= 0 v, d
ISD
/dt = 100 一个/
s,
I
S
= 20 一个
45
ns
承担 时间 T
一个
20
释放 时间 T
b
30
反转 恢复 承担 Q
RR
50 nC
5. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
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