NTD95N02R
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典型 特性
100
1000
10000
2 8 12 16 20
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
T
J
= 100
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0 v
100000
0
20
40
60
80
140
180
0246810
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
200
5.0 v
4.0 v
3.6 v
3.4 v
3.2 v
3.0 v
2.8 v
4.2 v
2.4 v
7.0 v
2.6 v
T
J
= 25
°
C
图示 1. on−region 特性
0.009
34 6 8 10
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
图示 2. 转移 特性
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
I
D
= 95 一个
T
J
= 25
°
C
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
10 30 50 70 90 150
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 v
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
−50 −25 0 25 50 75 100 125 150
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
0
20
40
60
80
100
120
0123 6
T
J
= −55
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
V
DS
10 v
I
D
= 95 一个
V
GS
= 10 v
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
170
0.008
579
110 130
0.014
0.016
1.8
61014184
100
120
160
13579
45
140
160
180
200
220
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