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资料编号:1118850
 
资料名称:NTD6600N
 
文件大小: 68K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 100 V, 12 A, N-Channel, Logic Level DPAK
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTD95N02R
http://onsemi.com
4
典型 特性
5000
10 5 0 5 10 15 20
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v)
c, 电容 (pf)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
C
ISS
C
OSS
C
RSS
C
ISS
V
DS
= 0 v
C
RSS
V
GS
V
DS
3000
2000
1000
0
图示 7. 电容 变化
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source
电压 相比 总的 承担
1
10
100
1000
1 10 100
R
G
, 门 阻抗 (
)
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
t, 时间 (ns)
V
DS
= 10 v
I
D
= 30 一个
V
GS
= 10 v
100
0.4 0.6 0.8
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
I
S
, 源 电流 (一个)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
t
r
t
d(止)
t
f
t
d(在)
0
1
2
3
4
6
0 8 12 24
V
GS
I
D
= 10 一个
T
J
= 25
°
C
416
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
V
DS
Q
T
0
4
8
12
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
90
60
50
40
30
20
10
0
1.0 1.2
80
70
4000
4500
2500
1500
500
3500
5
20
Q
GS
Q
GD
订货 信息
设备 包装 Shipping
NTD95N02R DPAK 75 单位 / 栏杆
NTD95N02RG DPAK
(pb−free)
75 单位 / 栏杆
NTD95N02R−001 DPAK 75 单位 / 栏杆
NTD95N02R−001G DPAK
(pb−free)
75 单位 / 栏杆
NTD95N02RT4 DPAK 2500 单位 / 录音带 &放大; 卷轴
NTD95N02RT4G DPAK
(pb−free)
2500 单位 / 录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格, 包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请 谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴包装
规格 brochure, brd8011/d.
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