10
rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf6s20010nr1 mrf6s20010gnr1
N-cdma 典型 特性
— 1930-1990 mhz
RF
输出
V
偏差
V
供应
RF
输入
DUT
Z1
C2
R1
C11
+
C1 C7
R2
Z7
R3
Z2 Z3 Z4 Z5 Z6
Z8
Z17
C3
C4 C5
Z11 Z12 Z13 Z14
C6
Z16
Z18
C8 C9 C10
Z9 Z10 Z15
图示 17. mrf6s20010nr1(gnr1) 测试 电路 图式 — 1930-1990 mhz
Z11 0.244
″
x 0.423
″
Microstrip
Z12 0.244
″
x 0.066
″
x 0.089
″
Taper
Z13 0.066
″
x 0.182
″
Microstrip
Z14 0.066
″
x 0.263
″
Microstrip
Z15 0.236
″
x 0.118
″
Microstrip
Z16 0.066
″
x 0.099
″
Microstrip
z17, z18 0.050
″
x 1.250
″
Microstrip
PCB taconic rf-35, 0.030
″
,
ε
r
= 3.5
Z1 0.066
″
x 0.480
″
Microstrip
Z2 0.066
″
x 0.728
″
Microstrip
Z3 0.354
″
x 0.512
″
Microstrip
Z4 0.066
″
x 0.079
″
Microstrip
z5, z6 0.591
″
x 0.335
″
Microstrip
Z7 0.050
″
x 0.980
″
Microstrip
Z8 1.142
″
x 0.350
″
Microstrip
Z9 1.142
″
x 0.516
″
Microstrip
Z10 0.433
″
x 0.276
″
Microstrip
表格 7. mrf6s20010nr1(gnr1) 测试 电路 组件 designations 和 值 — 1930-1990 mhz
部分 描述 部分 号码 生产者
C1 100 nf 碎片 电容 (1206) 1206C104KAT AVX
c2, c6 4.7 pf 600b 碎片 电容 600B4R7BW 在C
c3, c7, c8 9.1 pf 600b 碎片 电容 600B9R1BW 在C
c4, c5, c9, c10 10
µ
f 碎片 电容 (2220) C5750X5R1H106MT TDK
C11 10
µ
f, 35 v tantalum 碎片 电容 TAJD106K035 AVX
r1, r2 10 k
Ω
碎片 电阻器 (1206)
R3 10
Ω
碎片 电阻 (1206)
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