mrf6s20010nr1 mrf6s20010gnr1
7
rf 设备 数据
freescale 半导体
典型 特性
— 2110-2170 mhz
30
47
p3db = 41.5 dbm (14.2 w)
P
在
, 输入 电源 (dbm)
V
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 130 毫安
搏动 cw, 8
µ
秒(在), 1 msec(止)
f = 2170 mhz
45
43
41
39
35
22 24 26
真实的
完美的
2820
图示 8. 脉冲波 cw 输出 电源 相比
输入 电源
P
输出
, 输出 电源 (dbm)
p1db = 40.9 dbm (12.26 w)
30
11
18
0.1
0
70
T
C
=−30
C
25
C
−30
C
101
16
15
14
12
50
40
20
10
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
图示 9. 电源 增益 和 流 效率
相比 cw 输出 电源
G
ps
, 电源 增益 (db)
G
ps
85
C
25
C
85
C
V
DD
= 28 vdc
I
DQ
= 130 毫安
f = 2170 mhz
η
D
η
D
,
流 效率 (%)
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
图示 10. 电源 增益 相比 输出 电源
16 v
I
DQ
= 130 毫安
f = 2170 mhz
V
DD
= 12 v
10
16
018
13
11
14
6912
G
ps
, 电源 增益 (db)
21153
20 v
24 v
28 v
32 v
−36
27
400
−15
6
S21
f, 频率 (mhz)
图示 11. broadband 频率 回馈
S11
18 3
90
0
−3
−18
−6
−27
−12
320028002400200016001200800
V
DD
= 28 vdc
P
输出
= 10 w (pep)
I
DQ
= 130 毫安
s11 (db)
s21 (db)
37
17
13
60
30
15
12
−9
−9
210
10
8
90
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 12. mttf 因素 相比 接合面 温度
这个 在之上 图表 显示 计算 mttf 在 小时 x ampere
2
流 电流. 生命 tests 在 提升 温度 有 correlated 至
更好的比
±
10% 的 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔
mttf 因素 用 i
D
2
为 mttf 在 一个 particular 应用.
10
7
10
6
10
5
120 140 160 180 190
mttf 因素 (小时 x 放大器
2
)
100 200170150130110
: 点此下载
