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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf6s20010nr1 mrf6s20010gnr1
典型 特性
— 2110-2170 mhz
2210
16
40
2050
−40
−5
IRL
G
ps
IMD
f, 频率 (mhz)
V
DD
= 28 vdc, p
输出
= 10 w (pep)
I
DQ
= 130 毫安, 100 khz 声调 间隔
36
−10
32
−15
28
24
−20
−25
20
−30
2130 2170
图示 3. 二-声调 wideband 效能
@ p
输出
= 10 watts (pep)
P
输出
, 输出 电源 (watts) pep
11
18
1
I
DQ
= 195 毫安
V
DD
= 28 vdc, f = 2170 mhz
二−声调 度量
100 khz 声调 间隔
17
14
12
10 30
图示 4. 二-声调 电源 增益 相比
输出 电源
30
−60
−10
0.1 1 10
−20
−30
−40
−50
P
输出
, 输出 电源 (watts) pep
图示 5. 第三 顺序 交调
扭曲量 相比 输出 电源
G
ps
, 电源 增益 (db)
irl, 输入 返回 丧失 (db)
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
10
−70
−10
0.1
7th 顺序
V
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 130 毫安
f1 = 2170 mhz, f2 = 2170.1 mhz
二−声调 度量
5th 顺序
3rd 顺序
−20
−30
−40
130
图示 6. 交调 扭曲量 产品
相比 输出 电源
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
2090
15
65 毫安
130 毫安
−50
−35
0.1
η
D
, 流 效率 (%), g
ps
, 电源 增益 (db)
η
D
16
13
97.5 毫安
162.5 毫安
交调 扭曲量 (dbc)
imd, 第三 顺序
130 毫安
97.5 毫安
195 毫安
10
−55
−30
0.1
7th 顺序
二−声调 间隔 (mhz)
V
DD
= 28 vdc, p
输出
= 10 w (pep)
I
DQ
= 130 毫安, 二−声调度量
f1 + f2/2 = 中心 频率 的 2170 mhz
5th 顺序
3rd 顺序
−35
−40
−45
1 100
图示 7. 交调 扭曲量 产品
相比 声调 间隔
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
−50
P
输出
, 输出 电源 (watts) pep
−60
V
DD
= 28 vdc, f = 2170 mhz
二−声调 度量
100 khz 声调 间隔
162.5 毫安
I
DQ
= 65 毫安
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