相似物 整体的 电路 设备 数据
8 freescale 半导体
33989
静态的 电的 特性
逻辑 输出 terminals (mosi, sclk,cs)
高 水平的 输入 电压
V
IH
0.7 v
DD1
— V
DD1
+ 0.3 V
低 水平的 输入 电压
V
IL
-0.3 — 0.3 v
DD1
V
高 水平的 输入 电流 在CS
L
IH
-100 — -20 µA
低 水平的 输入 电流 在CS
L
IL
-100 — -20 µA
mosi 和 sclk 输入 电流
L
N
-10 — 10 µA
重置 终端 (重置)
(19)
高 水平的 输出 电流
0 < v
输出
< 0.7 v
DD
I
OH
-300 -250 -150
µA
低 水平的 输出 电压 (i
0
= 1.5 毫安)
5.5 v < v
SUP
< 27 v
V
OL
0.0 — 0.9
V
低 水平的 输出 电压 (i
0
= 0 µa
1.0 v < v
SUP
< 5.5 v
V
OL
0.0 — 0.9
V
重置 拉 向下 电流
v > 0.9 v
I
PDW
2.3 — 5.0
毫安
重置 持续时间 之后 v
DD1
高
RST
DUR
3.0 3.4 4.0 ms
看门狗 输出 终端 (WD)
(20)
低 水平的 输出 电压 (i
0
= 1.5 毫安)
1.0 v < v
SUP
< 27 v
V
OL
0.0 — 0.9
V
高 水平的 输出 电压 (i
0
= 250 µa)
V
OH
V
DD1
-0.9 — V
DD1
V
中断 终端 (INT)
(20)
低 水平的 输出 电压 (i
0
= 1.5 毫安)
V
OL
0.0 — 0.9 V
高 水平的 输出 电压 (i
0
= 250 µa)
V
OH
V
DD1
-0.9 — V
DD1
V
高 一侧 输出 终端 (hs1)
R
DSON
在 t
J
= 25°c, 和 i
输出
- 150 毫安
V
SUP
> 9.0 v
RON
25
— 2.0 2.5
Ω
R
DSON
在 t
一个
= 125°c, 和 i
输出
- 150 毫安
V
SUP
> 9.0 v
RON
125
— — 4.5
Ω
R
DSON
在 t
一个
= 125°c, 和 i
输出
- 120 毫安
5.5 < v
SUP
< 9.0 v
RON
125-2
— 3.5 5.5
Ω
输出 电流 限制
L
LIM
160 — 500 毫安
hs1 overtemperature 关闭
O
VT
155 — 190 °C
hs1 泄漏 电流
L
LEAK
— — 10 µA
输出 clamp 电压 在 i
输出
= -10 毫安
非 inductive 加载 驱动 能力
V
CL
-1.5 — -0.3
V
注释
19. 推/拉 结构 和 触发-状态 情况CS高.
20. 输出 终端 仅有的. 供应 从 v
DD1
. 结构 转变 至 地面 和 拉-向上 电流 源.
表格 3. 静态的 electrical 特性(持续)
特性 指出 下面 情况 5.5 v
≤
V
SUP
≤
18 v, -
40
°
C
≤
T
一个
≤
125
°
c, 地 = 0 v 除非 否则 指出. 典型
值 指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25°c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
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