相似物 整体的 电路 设备 数据
freescale 半导体 7
33989
静态的 电的 特性
电源 输出 (v
DD1
) 在 停止 模式
(14)
V
DD1
输出 电压
I
DD1
< = 2.0 毫安
V
DDSTOP
4.75 5.00 5.25
V
V
DD1
输出 电压
I
DD1
< = 10 毫安
V
DDSTOP2
4.75 5.00 5.25
V
I
DD1
停止 输出 电流 至 wake-向上 sbc
I
DD1SWU
10 17 25 毫安
I
DD1
在 电流 至 wake-向上 deglitcher 时间
(15)
I
DD1DGLT
40 55 75 µs
重置 门槛
RST
STOP1
4.5 4.6 4.7 V
重置 门槛
RST
STOP2
4.1 4.2 4.3 V
线条 规章制度 (c 在 v
DD1
= 47 µf tantal)
5.5 v < v
SUP
< 27 v, i
DD
= 2.0 毫安
LR
S
— 5.0 25
mV
加载 规章制度 (c 在 v
DD1
= 47 µf tantal)
1 毫安 < i
DD
< 10 毫安
LD
S
— 15 75
mV
最大值 解耦 电容 在 v
DD1
管脚, 在 停止 模式
(16)
V
ddst-cap
— — 200 µF
追踪 电压 调整器 (v2)
(17)
v2 输出 电压 (c 在 v2 = 10 µf tantal)
i2 从 2.0 至 200 毫安, 5.5 v < v
SUP
< 27 v
V2
0.99 1.0 1.01
V
DD1
i2 输出 电流 (为 信息 仅有的)
取决于 在之上 外部 ballast 晶体管
I2
200 — —
毫安
v2 控制 驱动 电流 能力
worst 情况 在 t
J
= 125°c
12
CTRL
0.0 — 10
毫安
v2low 标记 门槛
V2L
TH
3.75 4.0 4.25 V
逻辑 输出 终端 (miso)
(18)
低 水平的 输出 电压
I
输出
= 1.5 毫安
V
OL
0.0 — 1.0
V
高 水平的 输出 电压
I
输出
= 250 µa
V
OH
V
dd1-0.9
— V
DD1
V
触发-陈述 miso 泄漏 电流
0 v < v
MISO
< v
DD
I
HZ
-2.0 — 2.0
µA
注释
14. 如果 停止 模式 是 使用, 这 电容 连接 在 v
DD
管脚 应当 不 超过 这 最大 指定 用 这 “v
ddst-cap
” 参数.
如果 电容 值 是 超过, 在之上 进去 停止 模式, v
DD
输出 电流 将 超过 这 i
DDSWU
和 阻止 这 设备 至 停留 在
停止 模式.
15. 有保证的 用 设计; 不管怎样, 它 是 不 生产 测试.
16. 有保证的 用 设计.
17. v2 规格 和 外部 电容
- 稳固 必要条件: c > 42 µf 和 等效串联电阻 < 1.3
Ω
(tantalum 电容), 外部 电阻 在 根基 和 发射级 必需的
- 度量 情况: ballast 晶体管 mjd32c, c = 10 µf tantalum, 2.2 k 电阻 在 根基 和 发射级 的 ballast transistor
18. 推/拉 结构 和 触发-状态 情况CS高.
表格 3. 静态的 electrical 特性(持续)
特性 指出 下面 情况 5.5 v
≤
V
SUP
≤
18 v, -
40
°
C
≤
T
一个
≤
125
°
c, 地 = 0 v 除非 否则 指出. 典型
值 指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25°c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
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