相似物 整体的 电路 设备 数据
6 freescale 半导体
33989
静态的 电的 特性
batfail 标记 hysteresis
(11)
VBF
(hys)
— 1.0 — V
电池 下降 early 警告 门槛
在 正常的 和 备用物品 模式
BF
EW
5.3 5.8 6.3
V
电池 下降 early 警告 hysteresis
在 正常的 和 备用物品 模式
(11)
BF
EWH
0.1 0.2 0.3
V
电源 输出 (v
DD1
)
(12)
V
DD1
输出 电压
I
DD1
从 2.0 至 200 毫安 t
AMB
-40 至 125°c, 5.5 v < v
SUP
< 27 v
V
DD1OUT
4.9 5.0 5.1
V
V
DD1
输出 电压
I
DD1
从 2.0 至 200 毫安, 4.5 v < v
SUP
< 5.5 v
V
DD1OUT2
4.0 — —
V
落后 电压
I
DD1
= 200 毫安
V
DD1DRP
— 0.2 0.5
V
落后 电压, 限制 输出 电流
I
DD1
= 50 毫安, 4.5 v < v
SUP
V
DD1DRP2
— 0.1 0.25
V
I
DD1
输出 电流
内部 限制
I
DD1
200 285 350
毫安
接合面 热的 关闭
正常的 或者 备用物品 模式
T
SD
160 — 200
°C
接合面 在 温度 前-警告
V
DDTEMP
位 设置
T
PW
125 — 160
°C
温度 门槛 区别
T
SD
-
T
PW
20 — 40 °C
重置 门槛 1
可选择的 用 spi. default 值 之后 重置.
RST
TH1
4.5 4.6 4.7
V
重置 门槛 2
可选择的 用 spi
RST
TH2
4.1 4.2 4.3
V
V
DD1
范围 为 重置 起作用的
V
DDR
1.0 — — V
重置 延迟 时间
量过的 在 50% 的 重置 信号
t
D
4.0
—
30
µs
线条 规章制度 (c 在 v
DD1
= 47 µf tantal)
9.0 v v
SUP
< 18, i
DD
= 10 毫安
LR1
—
5.0 25
mV
线条 规章制度 (c 在 v
DD1
= 47 µf tantal)
5.5 < v
SUP
< 27 v, i
DD
= 10 毫安
LR2 —
10 25
mV
加载 规章制度 (c 在 v
DD1
= 47 µf tantal)
1.0 毫安 < i
IDD
< 200 毫安
LD
— 25 75
mV
热的 稳固
V
SUP
= 13.5 v, 1 = -100 毫安 不 测试
(13)
THERM
S
— 30 50
mV
注释
11. 和 能 cell 在 睡眠-使不能运转 状态. 如果 能 cell 是 睡眠-使能 为 wake-向上, 一个 额外的 60 µa 必须 是 增加 至 specified 值.
12. I
DD1
是 这 总的 调整器 输出 电流. v
DD
规格 和 外部电容. 稳固 必要条件: c > 47 µf 等效串联电阻 < 1.3
Ω
(tantalum 电容). 在 重置, 正常的 要求, 正常的 和 备用物品 modes. measure 和 c = 47 µf tantalum.
13. 有保证的 用 设计; 不管怎样, 它 是 不 生产 测试.
表格 3. 静态的 electrical 特性(持续)
特性 指出 下面 情况 5.5 v
≤
V
SUP
≤
18 v, -
40
°
C
≤
T
一个
≤
125
°
c, 地 = 0 v 除非 否则 指出. 典型
值 指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25°c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
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