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资料编号:1128739
 
资料名称:APM3055LU
 
文件大小: 485K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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Copyright
一个NPECElectronicsCorp.
Rev.B.3-Oct.,2005
一个PM3055LU
www.一个npec.com.tw
3
ElectricalCh一个r交流teristics
(T
一个
=25
°
Cunlessotherwiseted)
APM3055LU
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的特性
BV
DSS
-损坏 电压
V
GS
=0v, i
DS
=250
µ
一个
30 V
V
DS
=24v, v
GS
=0V 1
I
DSS
零 门 电压 流 电流
T
J
=85°C 30
µ
一个
V
gs(th)
门 门槛电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
1 1.5 2 V
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
20v, v
DS
=0V ±100 nA
V
GS
=10v, i
DS
=12一个 75 100
R
ds(在)
一个
-源 在-状态 阻抗
V
GS
=4.5v, i
DS
=6一个 100 200
m
二极管特性
V
SD
一个
二极管 向前 电压 I
SD
=6一个, v
GS
=0V 0.7 1.3 V
动态
特性
b
R
G
Resistance V
GS
=0v,v
DS
=0V,f=1mhz 2.6
C
iss
输入 电容 230
C
oss
输出 电容 60
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0v,
V
DS
=15v,
Frequency=1.0mhz
30
pF
t
d(在)
转变-在 延迟 time 4 7
T
r
转变-在 上升 时间 11 22
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 15 21
T
f
转变-止 下降 时间
V
DD
=15v, r
L
=15
,
I
DS
=1一个, v
GEN
=10V,
R
G
=6
3 5
ns
门 承担
特性
b
Q
g
总的 门 承担 6.2 8.5
Q
gs
-承担 1.2
Q
gd
-流 承担
V
DS
=15v, v
GS
=10v,
I
DS
=12一个
1.2
nC
注释:
一个 : 脉冲波 测试 ; 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
b : 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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