CT60AM-18_集成电路资料查询网

sep. 2001
mitsubishi nch igbt
ct60am-18f
insulated 门 双极 晶体管
I
CES
I
GES
V
ge(th)
V
ce(sat)
C
ies
C
oes
C
res
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
Etail
Itail
V
EC
t
rr
R
th(j-c)
R
th(j-c)
毫安
µ
一个
V
V
pF
pF
pF
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
mj/pls
一个
V
µ
s
°
c/w
°
c/w
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
2.1
4400
115
75
0.05
0.1
0.2
0.3
0.6
6.0
2.2
0.5
—
—
1.0
0.5
6.0
2.7
—
—
—
—
—
—
—
1.0
12
3.0
2.0
0.69
4.0
电的 特性
(tch = 25
°
c)
集电级-发射级 泄漏 电流
门-发射级 泄漏 电流
门-发射级 门槛 电压
集电级-发射级 饱和 电压
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
转变-在 上升 时间
转变-止 延迟 时间
转变-止 下降 时间
tail 丧失
tail 电流
发射级-集电级 电压
二极管 反转 恢复 时间
热的 阻抗 (igbt)
热的 阻抗 (二极管)
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
V
CE
= 900v, v
GE
= 0v
V
GE
=
±
20v, v
CE
= 0v
V
CE
= 10v, i
C
= 6ma
I
C
= 60a, v
GE
= 15v
V
CE
= 25v, v
GE
= 0v, f = 1mhz
V
CC
= 300v, i
C
= 60a, v
GE
= 15v, r
G
= 10
Ω
I
CP
= 60a, t
j
= 125
°
c, dv/dt = 200v/
µ
s
I
E
= 60a, v
GE
= 0v
I
E
= 60a, dis/dt =
–
20a/
µ
s
接合面 至 情况
接合面 至 情况
0
40
80
120
160
012345
P
D
= 180w
V
GE
= 20v
tc = 25
°
C
脉冲波 测试
0
1
2
3
4
5
0 4 8 12 16 20
tc = 25
°
C
脉冲波 测试
30A
60A
15A
I
C
= 120a
10V
15V
8V
7V
9V
集电级-发射级 电压   v
CE
(v)
集电级 电流   i
C
(一个)
集电级-发射级 饱和
电压 vs. 门-发射级 电压
(典型)
集电级 电流 vs.
集电级-发射级 电压
(典型)
门-发射级 电压   v
GE
(v)
集电级-发射级
饱和 电压   v
ce(sat)
(v)
效能 曲线

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sep. 2001 mitsubishi nch igbt ct60am-18f insulated 门双极晶体管 I CES I GES V ge(th) V ce(sat) C ies C oes C res t d(在) t r t d(止) t f Etail Itail V EC t rr R th(j-c) R th(j-c) 毫安 µ 一个 V V pF pF pF µ s µ s µ s µ s mj/pls 一个 V µ s ° c/w ° c/w — — 2.0 — — — — — — — — — — — — — — 4.0 2.1 4400 115 75 0.05 0.1 0.2 0.3 0.6 6.0 2.2 0.5 — — 1.0 0.5 6.0 2.7 — — — — — — — 1.0 12 3.0 2.0 0.69 4.0 电的特性 (tch = 25 ° c) 集电级-发射级泄漏电流门-发射级泄漏电流门-发射级门槛电压集电级-发射级饱和电压输入电容输出电容反转转移电容转变-在延迟时间转变-在上升时间转变-止延迟时间转变-止下降时间 tail 丧失 tail 电流发射级-集电级电压二极管反转恢复时间热的阻抗 (igbt) 热的阻抗 (二极管) 标识单位参数测试情况限制最小值典型值最大值 V CE = 900v, v GE = 0v V GE = ± 20v, v CE = 0v V CE = 10v, i C = 6ma I C = 60a, v GE = 15v V CE = 25v, v GE = 0v, f = 1mhz V CC = 300v, i C = 60a, v GE = 15v, r G = 10 Ω I CP = 60a, t j = 125 ° c, dv/dt = 200v/ µ s I E = 60a, v GE = 0v I E = 60a, dis/dt = – 20a/ µ s 接合面至情况接合面至情况 0 40 80 120 160 012345 P D = 180w V GE = 20v tc = 25 ° C 脉冲波测试 0 1 2 3 4 5 0 4 8 12 16 20 tc = 25 ° C 脉冲波测试 30A 60A 15A I C = 120a 10V 15V 8V 7V 9V 集电级-发射级电压 v CE (v) 集电级电流 i C (一个) 集电级-发射级饱和电压 vs. 门-发射级电压 (典型) 集电级电流 vs. 集电级-发射级电压 (典型) 门-发射级电压 v GE (v) 集电级-发射级饱和电压 v ce(sat) (v) 效能曲线

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