CT60AM-18_集成电路资料查询网

sep. 2001
mitsubishi nch igbt
ct60am-18f
insulated 门 双极 晶体管
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Ð40 0 40 80 150120
V
CE
= 10V
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门槛 电压 vs.
接合面 温度
(典型)
门-发射级 门槛
电压 V
GE (th)
(v)
IGBT 瞬时 热的 阻抗
特性
脉冲波 宽度 t
w
(s)
瞬时 热的 阻抗 Z
th (jÐc)
(¡c/w)
二极管 瞬时 热的
阻抗 特性
脉冲波 宽度 t
w
(s)
瞬时 热的 阻抗 Z
th (jÐc)
(¡c/w)
接合面 温度 T
j
(¡c)

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sep. 2001 mitsubishi nch igbt ct60am-18f insulated 门双极晶体管 0 4 5 6 1 2 3 7 8 Ð40 0 40 80 150120 V CE = 10V I C = 6mA 10 Ð2 10 Ð1 2 3 4 5 7 10 Ð2 10 Ð1 2 2 3 4 5 7 10 0 2 3 4 5 7 10 Ð4 57 10 Ð5 23 57 10 Ð4 23 57 10 Ð3 23 57 10 Ð2 10 0 23 57 10 Ð1 23 57 10 Ð1 2 3 5 7 2 3 5 7 10 Ð2 10 Ð1 2 3 5 7 2 3 5 7 10 1 10 0 10 Ð2 2 3 5 7 10 Ð3 57 10 Ð4 57 10 Ð5 2323 57 10 Ð3 23 57 10 Ð2 23 57 10 Ð1 10 1 23 57 10 0 23 57 门槛电压 vs. 接合面温度 (典型) 门-发射级门槛电压 V GE (th) (v) IGBT 瞬时热的阻抗特性脉冲波宽度 t w (s) 瞬时热的阻抗 Z th (jÐc) (¡c/w) 二极管瞬时热的阻抗特性脉冲波宽度 t w (s) 瞬时热的阻抗 Z th (jÐc) (¡c/w) 接合面温度 T j (¡c)

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