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资料编号：1131731
 
资料名称：CT60AM-18
 
文件大小： 115.72K
   
说明：
 
介绍:
CT60AM-18F Datasheet 118K/MAR.20.03
 
 


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sep. 2001
mitsubishi nch igbt
ct60am-18f
insulated 门 双极 晶体管
0
40
80
120
160
0481216
tc = 25
°
C
V
CE
= 5v
脉冲波 测试
10
0
10
1
23 57
10
2
23 57
10
-1
10
0
23 57
10
1
23 57
10
2
23 57
10
3
23 57
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
5
7
10
3
10
4
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
0
10
1
23 57
10
2
2
3
5
7
10
1
10
3
2
3
5
7
10
2
23 57
10
2
2
3
5
7
10
1
0
4
8
12
16
20
500150100 250200 350300
I
C
= 60a
tj = 25
°
C
V
CE
= 250v
0 0.8 1.6 2.4 3.2
80
100
60
40
20
0
tc = 25
°
C
V
GE
= 0v
脉冲波 测试
tj = 25
°
C
V
GE
= 0v
f = 1mhz
Cies
Coes
Cres
tj = 25
°
C
V
CC
= 300v
V
GE
= 15v
R
G
= 10
Ω
t
d(止)
t
d(在)
t
r
t
f
tj = 25
°
C
V
CC
= 300v
V
GE
= 15v
I
C
= 60
一个
t
d(止)
t
d(在)
t
r
t
f
400V
600V
集电级 电流 vs.
门-发射级 电压
(典型)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
切换 时间 vs. 门 阻抗
(典型)
门 阻抗 r
G
(
Ω
)
切换 特性
(典型)
集电级 电流 i
C
(一个)
切换 时间 (ns)
电容 vs.
集电级-发射级 电压
(典型)
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
电容 cies, coes, cres (pf)
发射级-集电级 电压 v
EC
(v)
发射级 电流 i
E
(一个)
门 承担 q
g
(nc)
门-发射级 电压
vs. 门 承担 典型的
(典型)
发射级 电流 vs.
发射级-集电级 电压
(典型)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
切换 时间 (ns)
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