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nmc27c64 rev. c
nmc27c64 65,536-位 (8192 x 8) cmos 非易失存储器
函数的 描述
(持续)
程序 inhibit
程序编制 多样的 nmc27c64s 在 并行的 和 不同的 数据
是 也 容易地 accomplished. 除了 为 ce 所有 像 输入 (包含
oe 和 pgm) 的 这 并行的 nmc27c64 将 是 一般. 一个 ttl
低 水平的 程序 脉冲波 应用 至 一个 nmc27c64’s pgm 输入
和 ce 在 v
IL
和 v
PP
在 13.0v 将 程序 那 nmc27c64. 一个
ttl 高 水平的 ce 输入 inhibits 这 其它 nmc27c64s 从 正在
编写程序.
程序 核实
一个 核实 应当 是 执行 在 这 编写程序 位 至 决定
whether 它们 是 correctly 编写程序. 这 核实 将 是
执行 和 v
PP
在 13.0v. v
PP
必须 是 在 v
CC
, 除了 在
程序编制 和 程序 核实.
生产者’s identification 代号
这 nmc27c64 有 一个 生产者’s identification 代号 至 aid 在
程序编制. 这 代号, 显示 在 表格 2, 是 二 字节 宽 和
是 贮存 在 一个 只读存储器 配置 在 这 碎片. 它 identifies 这
生产者 和 这 设备 类型. 这 代号 为 这 nmc27c64
是 “8fc2”, 在哪里 “8f” designates 那 它 是 制造 用 仙童
半导体, 和 “c2” designates 一个 64k 部分.
这 代号 是 accessed 用 应用 12v
±
0.5v 至 地址 管脚 a9.
地址 a1–a8, a10–a12, ce, 和 oe 是 使保持 在 v
IL
. 地址
a0 是 使保持 在 v
IL
为 这 生产者’s 代号, 和 在 v
IH
为 这
设备 代号. 这 代号 是 读 输出 在 这 8 数据 管脚. 恰当的 代号
进入 是 仅有的 有保证的 在 25
°
C
±
5
°
c.
这 primary 目的 的 这 生产者’s identification 代号 是
自动 程序编制 控制. 当 这 设备 是 inserted 在 一个
非易失存储器 programmer 插座, 这 programmer 读 这 代号 和
然后 automatically calls 向上 这 明确的 程序编制 algorithm 为
这 部分. 这个 自动 程序编制 控制 是 仅有的 可能 和
programmers 这个 有 这 能力 的 读 这 代号.
erasure 特性
这 erasure 特性 的 这 nmc27c64 是 此类 那
erasure begins 至 出现 当 exposed 至 明亮的 和 wavelengths
shorter 比 大概 4000 angstroms (Å). 它 应当 是
指出 那 sunlight 和 确实 类型 的 fluorescent lamps 有
wavelengths 在 这 3000Å – 4000Å 范围.
之后 程序编制, opaque labels 应当 是 放置 在 这
nmc27c64’s window 至 阻止 unintentional erasure. covering
这 window 将 也 阻止 temporary 函数的 失败 预定的 至 这
一代 的 photo 电流.
这 推荐 erasure 程序 为 这 nmc27c64 是
暴露 至 短的 波 ultraviolet 明亮的 这个 有 一个 wavelength 的
2537 angstroms (Å). 这 整体的 剂量 (i.e., uv 强烈 x
暴露 时间) 为 erasure 应当 是 一个 最小 的 15w-秒/cm
2
.
这 nmc27c64 应当 是 放置 在里面 1 inch 的 这 lamp tubes
在 erasure. 一些 lamps 有 一个 过滤 在 它们的 tubes 这个
应当 是 移除 在之前 erasure.
一个 erasure 系统 应当 是 校准 periodically. 这 距离
从 lamp 至 单位 应当 是 maintained 在 一个 inch. 这 erasure
时间 增加 作 这 正方形的 的 这 距离. (如果 距离 是
doubled 这 erasure 时间 增加 用 一个 因素 的 4.) lamps lose
强烈 作 它们 age. 当 一个 lamp 是 changed, 这 距离 有
changed 或者 这 lamp 有 aged, 这 系统 应当 是 审查 至
制造 确实 全部 erasure 是 occurring. incomplete erasure 将
导致 symptoms 那 能 是 misleading. programmers, 混合-
nents, 和 甚至 系统 设计 有 被 erroneously sus-
pected 当 incomplete erasure 是 这 问题.
系统 仔细考虑
这 电源 切换 特性 的 eproms 需要 细致的
解耦 的 这 设备. 这 供应 电流, i
CC
, 有 三
部分 那 是 的 interest 至 这 系统 designer—the 备用物品
电流 水平的, 这 起作用的 电流 水平的, 和 这 瞬时 电流
顶峰 那 是 生产 用 电压 transitions 在 输入 管脚. 这
巨大 的 这些 瞬时 电流 顶峰 是 依赖 在 这
输出 电容 加载 的 这 设备. 这 有关联的 v
CC
瞬时 电压 顶峰 能 是 suppressed 用 合适的 选择
解耦 电容. 它 是 推荐 那 在 least 一个 0.1
µ
F
陶瓷的 电容 是 使用 在 每 设备 在 v
CC
和
地. 这个 应当 是 一个 高 频率 电容 的 低 固有的
电感. 在 增加, 在 least 一个 4.7
µ
f 大(量) electrolytic 电容
应当 是 使用 在 v
CC
和 地 为 各自 第八 设备. 这
大(量) 电容 应当 是 located near 在哪里 这 电源 供应 是
连接 至 这 排列. 这 目的 的 这 大(量) 电容 是 至
克服 这 电压 漏出 造成 用 这 inductive 影响 的 这
pc 板 查出.
表格 2. 生产者’s identification 代号
管脚 A0 O7 O6 O5 O4 O3 O2 O1 O0 十六进制
(10) (19) (18) (17) (16) (15) (13) (12) (11) 数据
生产者 代号
V
IL
100011118F
设备 代号 V
IH
11000010C2
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