5
www.fairchildsemi.com
nmc27c64 rev. c
nmc27c64 65,536-位 (8192 x 8) cmos 非易失存储器
程序编制 特性
(便条 11) (便条 12) (note 13) (note 14)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
作
地址 建制 时间 2
µ
s
t
OES
oe 建制 时间 2
µ
s
t
CES
ce 建制 时间 2
µ
s
t
DS
数据 建制 时间 2
µ
s
t
VPS
V
PP
建制 时间 2
µ
s
t
VCS
V
CC
建制 时间 2
µ
s
t
AH
地址 支撑 时间 0
µ
s
t
DH
数据 支撑 时间 2
µ
s
t
DF
输出 使能 至 ce = v
IL
0 130 ns
输出 float 延迟
t
PW
程序 脉冲波 宽度 0.45 0.5 0.55 ms
t
OE
数据 有效的 从 oe ce = v
IL
150 ns
I
PP
V
PP
供应 电流 在 ce = v
IL
30 毫安
程序编制 脉冲波 pgm = v
IL
I
CC
V
CC
供应 电流 10 毫安
T
一个
温度 包围的 20 25 30 ˚C
V
CC
电源 供应 电压 5.75 6.0 6.25 V
V
PP
程序编制 供应 电压 12.2 13.0 13.3 V
t
FR
输入 上升, 下降 时间 5 ns
V
IL
输入 低 电压 0.0 0.45 V
V
IH
输入 高 电压 2.4 4.0 V
t
在
输入 定时 涉及 电压 0.8 1.5 2.0 V
t
输出
输出 定时 涉及 电压 0.8 1.5 2.0 V