tps1100, tps1100y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs078c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
4
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
电的 特性 在 t
J
= 25
°
c (除非 否则 指出)
静态的
参数 测试 情况
TPS1100 TPS1100Y
UNITPARAMETER 测试 情况
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
单位
V
gs(th)
门-至-源
门槛 电压
V
DS
= v
GS
, I
D
= – 250
µ
一个 –1 – 1.25 – 1.50 – 1.25 V
V
SD
源-至-流 电压
(二极管-向前
电压)
†
I
S
= – 1 一个, V
GS
= 0 v – 0.9 – 0.9 V
I
GSS
反转 门 电流,
流 短的 短路 至
源
V
DS
= 0 v, V
GS
= – 12 v
±
100 nA
I
DSS
零-门-电压 流
V
DS
=12V V
GS
=0V
T
J
= 25
°
C – 0.5
µ
AI
DSS
gg
电流
V
DS
= – 12 v, V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C –10
µ
一个
V
GS
= – 10 v I
D
= – 1.5 一个 180 180
r
ds( )
静态的 流-至-源
V
GS
= – 4.5 v
I
D
= – 0.5 一个 291 400 291
m
Ω
r
ds(在)
在-状态 阻抗
†
V
GS
= – 3 v
I
D
=02A
476 700 476
m
Ω
V
GS
= – 2.7 v
I
D
= – 0.2 一个
606 850 606
g
fs
向前
跨导
†
V
DS
= – 10 v, I
D
= – 2 一个 2.5 2.5 S
†
脉冲波 测试: 脉冲波 持续时间
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
动态
参数 测试 情况
tps1100, tps1100y
UNITPARAMETER 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
Q
g
总的 门 承担 5.45
Q
gs
门-至-源 承担
V
DS
= – 10 v, V
GS
= – 10 v, I
D
= – 1 一个
0.87
nC
Q
gd
门-至-流 承担 1.4
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 4.5 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
V
DD
= – 10 v, R
L
= 10
Ω
,i
D
= – 1 一个,
13 ns
t
r
上升 时间
DD
,
R
G
= 6
Ω
,
L
,
看 计算数量 1 和 2
D
,
10
t
f
下降 时间 2
ns
t
rr(sd)
源-至-流 反转 恢复 时间 I
F
= 5.3 一个, di/dt = 100 一个 /
µ
s 16
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