2n6660, vq1004j/p
vishay siliconix
www.vishay siliconix.com
faxback 408-970-5600
11-2
文档 号码: 70222
s-00208—rev. d, 21-二月-00
限制
2N6660 vq1004j/p
参数 标识 测试 情况 Typ
b
最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
流-源
损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 10
一个 75 60 60
V
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 1.7
0.8 2 0.8 2.5
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
15 v
100
100
nagate-身体 泄漏 I
GSS
T
C
= 125
C
500
500
nA
ZG
I
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 10
一个
ZG
I
V
DS
= 35 v, v
GS
= 0 v
一个
零 门
Vlt D i C t
I
DSS
V
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v 1
一个
电压 流 电流
I
DSS
T
C
= 125
C 500 500
一个
V
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v
T
C
= 125
C
在-状态 流 电流
c
I
d(在)
V
DS
= 10 v, v
GS
= 10 v 3 1.5 1.5 一个
DiS 或者 i
c
V
GS
= 5 v, i
D
= 0.3 一个
e
2 5 5
流-源 在-阻抗
c
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
=
1
一个
1.3 3
3.5
T
C
= 125
C
e
2.4 4.2 4.9
向前 跨导
c
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 0.5 一个 350 170 170
S
一般 源
输出 conductance
c
g
os
V
DS
= 10 v, i
D
= 0.1 一个 1
mS
二极管 向前 电压 V
SD
I
S
= 0.99 一个, v
GS
= 0 v 0.8 V
动态
输入 电容 C
iss
V24VV0V
35 50 60
F
输出 电容 C
oss
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v
f1MH
25 40 50
pF
反转 转移 电容 C
rss
DS
,
GS
f = 1 mhz
7 10 10
pF
流-源 电容 C
ds
30 40
切换
d
转变-在 时间 t
在
V
DD
=
25
v, r
L
= 23
I
D
1A V
GEN
=10V
8 10 10
ns
转变-止 时间 t
止
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v
R
G
= 25
8.5 10 10
ns
注释
一个. T
一个
= 25
c 除非 否则 指出. VNDQ06
b. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
c. 脉冲波 测试: pw
80
s 职责 循环
1%.
d. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
e. 这个 参数 不 注册 和 电子元件工业联合会 在 2n6660.
下载 从 www.icminer.com 电子的-库 维护
: 点此下载
