2n6660, vq1004j/p
vishay siliconix
文档 号码: 70222
s-00208—rev. d, 21-二月-00
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11-3
ohmic 区域 特性 输出 特性 为 低 门 驱动
在-阻抗 vs. 流 电流
normalized 在-阻抗
vs. 接合面 温度
转移 特性 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
V
GS
– 门-源 电压 (v) V
GS
– 门-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)
I
D
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 流 电流 (一个)
I
D
– 在-阻抗 (r
ds(在)
V
DS
– 流-至-源 电压 (v) V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
I
D
– 流 电流 (一个) T
J
– 接合面 温度 (
c)
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗
(normalized)
2.0 v
T
J
= 25
C
100
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
80
60
40
20
0
2.8 v
2.6 v
2.4 v
2.2 v
V
GS
= 10 v
2.0
0123 45
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
GS
= 10 v
8 v
7 v
6 v
5 v
4 v
3 v
2 v
T
J
= 25
C
1.0
0.8
0.6
0
02 10
0.4
0.2
468
125
C
25
C
V
DS
= 15 v
T
J
= –55
C
2.8
0 4 8 12 16 20
2.4
2.0
1.6
0
1.2
0.8
0.4
1.0 一个
0.5 一个
T
J
= 25
C
I
D
= 0.1 一个
2.5
2.0
1.5
0
0 0.4 2.0
1.0
0.5
0.8 1.2 1.6
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
C
2.25
2.00
1.75
0.50
–50 –10 150
1.50
1.25
30 70 110
1.00
0.75
V
GS
= 10 v
I
D
= 1.0 一个
0.2 一个
1.8 v
)
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 ( )
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