2n6660, vq1004j/p
vishay siliconix
文档 号码: 70222
s-00208—rev. d, 21-二月-00
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11-1
n-频道 增强-模式 场效应晶体管 晶体管
部分 号码 V
(br)dss
最小值 (v) r
ds(在)
最大值 (
) V
gs(th)
(v) I
D
(一个)
2N6660
60
3 @ v
GS
= 10 v 0.8 至 2 1.1
vq1004j/p
60
3.5 @ v
GS
= 10 v 0.8 至 2.5 0.46
低 在-阻抗: 1.3
低 门槛: 1.7 v
低 输入 电容: 35 pf
快 切换 速: 8 ns
低 输入 和 输出 泄漏
低 补偿 电压
低-电压 运作
容易地 驱动 没有 缓存区
高-速 电路
低 错误 电压
直接 逻辑-水平的 接口: ttl/cmos
驱动器: 接转, solenoids, lamps, hammers,
显示, memories, 晶体管, 等
电池 运作 系统
固体的-状态 接转
1
2 3
至-205ad
(至-39)
顶 视图
DG
S
塑料: VQ1004J
sidebraze: VQ1004P
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
顶 视图
双-在-线条
D
1
D
4
S
1
S
4
G
1
G
4
NC NC
G
2
G
3
S
2
S
3
D
2
D
3
N
N
N
N
2N6660
P Sbl
单独的 总的 四方形
Ui参数 标识
2N6660
VQ1004J VQ1004P
vq1004j/p
单位
流-源 电压 V
DS
60 60 60
V
门-源 电压 V
GS
20
30
20
V
持续的 流 电流
(t 150
c)
T
C
= 25
C
I
D
1.1
0.46
0.46
一个
(t
J
= 150
c)
T
C
= 100
C
I
D
0.8 0.26 0.26
一个
搏动 流 电流
一个
I
DM
3 2 2
电源 消耗
T
C
= 25
C
P
D
6.25 1.3 1.3 2
wpower 消耗
T
C
= 100
C
P
D
2.5 0.52 0.52 0.8
W
最大 接合面-至-包围的
b
R
thJA
170 0.96 0.96 62.5
c/w
最大 接合面-至-情况 R
thJC
20
c/w
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
b. 这个 参数 不 注册 和 电子元件工业联合会.
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