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数据 薄板
2 mbit / 4 mbit spi 串行 flash
sst25vf020 / sst25vf040
©2004 硅 存储 技术, 公司 s71231-04-000 6/04
产品 identification
记忆 organization
这 sst25vf020/040 superflash 记忆 排列 是 orga-
nized 在 4 kbyte sectors 和 32 kbyte overlay blocks.
设备 运作
这 sst25vf020/040 是 accessed 通过 这 spi (串行
附带的 接口) 总线 兼容 协议. 这 spi 总线
组成 的 四 控制 线条; 碎片 使能 (ce#) 是 使用 至
选择 这 设备, 和 数据 是 accessed 通过 这 串行
数据 输入 (si), 串行 数据 输出 (所以), 和 串行 时钟
(sck).
这 sst25vf020/040 支持 两个都 模式 0 (0,0) 和
模式 3 (1,1) 的 spi 总线 行动. 这 区别
在 这 二 模式, 作 显示 在 图示 2, 是 这 状态
的 这 sck 信号 当 这 总线 主控 是 在 保卫-用
模式 和 非 数据 是 正在 transferred. 这 sck 信号 是
低 为 模式 0 和 sck 信号 是 高 为 模式 3. 为 两个都
模式, 这 串行 数据 在 (si) 是 抽样 在 这 rising 边缘
的 这 sck 时钟 信号 和 这 串行 数据 输出 (所以) 是
驱动 之后 这 下落 边缘 的 这 sck 时钟 信号.
图示 2: spi p
ROTOCOL
表格 2: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址 数据
生产者’s id 00000H BFH
设备 id
SST25VF020 00001H 43H
SST25VF040 00001H 44H
t2.0 1231
1231 f02.1
模式 3
SCK
SI
所以
CE#
模式 3
don't 小心
位 7 位 6 位 5 位 4 位 3 位 2 位 1 位 0
位 7 位 6 位 5 位 4 位 3 位 2 位 1 位 0
模式 0mode 0
高 阻抗
MSB
MSB
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