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数据 薄板
2 mbit / 4 mbit spi 串行 flash
sst25vf020 / sst25vf040
©2004 硅 存储 技术, 公司 s71231-04-000 6/04
状态 寄存器
这 软件 状态 寄存器 提供 状态 在 whether 这
flash 记忆 排列 是 有 为 任何 读 或者 写 oper-
ation, whether 这 设备 是 写 使能, 和 这 状态 的
这 记忆 写 保护. 在 一个 内部的 擦掉 或者
程序 运作, 这 状态 寄存器 将 是 读 仅有的 至
决定 这 completion 的 一个 运作 在 progress.
表格 4 describes 这 函数 的 各自 位 在 这 软件
状态 寄存器.
Busy
这 busy 位 确定 whether 那里 是 一个 内部的 擦掉
或者 程序 运作 在 progress. 一个 “1” 为 这 busy 位 indi-
cates 这 设备 是 busy 和 一个 运作 在 progress. 一个 “0”
indicates 这 设备 是 准备好 为 这 next 有效的 运作.
写 使能 获得 (wel)
这 写-使能-获得 位 indicates 这 状态 的 这 inter-
nal memory 写 使能 获得. 如果 这 写-使能-获得
位 是 设置 至 “1”, 它 indicates 这 设备 是 写 使能. 如果 这
位 是 设置 至 “0” (重置), 它 indicates 这 设备 是 不 写
使能 和 做 不 接受 任何 记忆 写 (程序/
擦掉) commands. 这 写-使能-获得 位 是 自动地-
cally 重置 下面 这 下列的 情况:
•
Power-向上
•
写-使不能运转 (wrdi) 操作指南 completion
•
字节-程序 操作指南 completion
•
自动 地址 increment (aai) 程序编制
reached 它的 最高的 记忆 地址
•
sector-擦掉 操作指南 completion
•
块-擦掉 操作指南 completion
•
碎片-擦掉 操作指南 completion
表格 4: S
OFTWARE
S
TATUS
R
EGISTER
位 名字 函数
default 在
电源-向上 读/写
0 BUSY 1 = 内部的 写 运作 是 在 progress
0 = 非 内部的 写 运作 是 在 progress
0R
1 WEL 1 = 设备 是 记忆 写 使能
0 = 设备 是 不 记忆 写 使能
0R
2 BP0 表明 电流 水平的 的 块 写 保护 (看 表格 5) 1 r/w
3 BP1 表明 电流 水平的 的 块 写 保护 (看 表格 5) 1 r/w
4:5 RES 保留 为 future 使用 0 n/一个
6 AAI 自动 地址 increment 程序编制 状态
1 = aai 程序编制 模式
0 = 字节-程序 模式
0R
7 BPL 1 = bp1, bp0 是 读-仅有的 位
0 = bp1, bp0 是 读/writable
0r/w
t4.0 1231
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