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26184.23
worcester, massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000
115 northeast 截止, 盒 15036
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allegro microsystems, 公司
A3979
dmos microstepping 驱动器 和 翻译
fixed 止-时间.
这 内部的 pwm 电流-控制 cir-
cuitry 使用 一个 一个-shot 计时器 至 控制 这 持续时间 的 时间
那 这 mosfets 仍然是 止. 这 一个 shot 止-时间, t
止
,
是 决定 用 这 选择 的 外部 电阻器, r
T
x
, 和
电容, c
T
x
, 连接 从 各自 r
C
x
定时 终端 至
地面. 这 止-时间, 在 一个 范围 的 值 的 c
T
= 470 pf
至 1500 pf 和 r
T
= 12 k
Ω
至 100 k
Ω
是 近似 用:
t
止
= r
T
C
T
rc blanking.
在 增加 至 这 fixed 止-时间 的 这
pwm 控制 电路, 这 ctx 组件 sets 这 compara-
tor blanking 时间. 这个 函数 blanks 这 输出 的 这
电流-sense comparators 当 这 输出 是 切换
用 这 内部的 电流-控制 电路系统. 这 比较器
输出 是 blanked 至 阻止 false overcurrent 发现
预定的 至 反转 恢复 电流 的 这 clamp 二极管, 或者 至
切换 过往旅客 related 至 这 电容 的 这 加载.
这 blank 时间 t
BLANK
能 是 近似 用:
t
BLANK
= 1400c
T
承担 打气
(cp1 和 cp2).
这 承担 打气 是
使用 至 发生 一个 门 供应 更好 比 那 的 vbb 为
驱动 这 源-一侧 dmos 门. 一个 0.22
μ
f 陶瓷的
电容 应当 是 连接 在 cp1 和 cp2 为
pumping 目的. 在 增加, 一个 0.22
μ
f 陶瓷的 电容
是 必需的 在 vcp 和 vbb, 至 act 作 一个 reservoir 为
运行 这 高-一侧 dmos 门.
V
REG
(vreg)
.
这个 内部-发生 电压 是 使用 至
运作 这 下沉-一侧 dmos 输出. 这 vreg 管脚 必须
是 decoupled 和 一个 0.22
μ
f 电容 至 地面. v
REG
是
内部 监控, 和 在 这 情况 的 一个 故障 情况, 这
dmos 输出 的 这 设备 是 无能.
使能 输入
(
¯e¯ ¯n¯ ¯a¯ ¯b¯ ¯l¯ ¯e¯
)
.
这个 起作用的-低 输入
使能 所有 的 这 dmos 输出. 当 设置 至 一个 逻辑 高,
这 输出 是 无能. 这 输入 至 这 翻译 (步伐,
dir, ms1, 和 ms2), 所有 仍然是 起作用的, 独立 的 这
¯e¯ ¯n¯ ¯a¯ ¯b¯ ¯l¯ ¯e¯ 输入 状态.
关闭.
在 正常的 运作, 在 这 事件 的 一个
故障, 此类 作 overtemperature (excess t
J
) 或者 一个 undervolt-
age 在 vcp, 这 输出 的 这 设备 是 无能 直到 这
故障 情况 是 移除.
在 电源 向上, 和 在 这 事件 的 低 v
DD
, 这 欠压
lockout (uvlo) 电路 使不能运转 这 驱动器 和 resets 这
翻译 至 这 home 状态.
睡眠 模式
(
¯s¯ ¯l¯ ¯e¯ ¯e¯ ¯p¯
).
这个 起作用的-低 控制 输入
是 使用 至 降低 电源 消耗量 当 这 发动机 是
不 在 使用. 它 使不能运转 更 的 这 内部的 电路系统 includ-
ing 这 输出 dmos fets, 电流 调整器, 和 承担
打气. 设置 这个 至 一个 逻辑 高 准许 正常的 运作,
作 好 作 开始-向上 (在 这个 时间 这 a3979 驱动 这
发动机 至 这 home microstep 位置). 当 bringing 这
设备 输出 的 睡眠 模式, 在 顺序 至 准许 这 承担 打气
(门 驱动) 至 stabilize, 提供 一个 延迟 的 1 ms 在之前 issu-
ing 一个 步伐 command 信号 在 这 步伐 输入.
百分比 快 decay 输入 (pfd).
当 一个 步伐
输入 信号 commands 一个 更小的 输出 电流 比 这
previous 步伐, 它 switches 这 输出 电流 decay 至 也
慢, 快, 或者 mixed decay 模式, 取决于 在 这 电压
水平的 在 这 pfd 输入. 如果 这 电压 在 这 pfd 输入 是
更好 比 0.6 × v
DD
, 然后 慢 decay 模式 是 选择.
如果 这 电压 在 这 pfd 输入 是 较少 比 0.21 × v
DD
, 然后
快 decay 模式 是 选择. mixed decay 模式 是 选择
当 v
PFD
是 在 这些 二 水平, 作 描述 在
这 next 部分. 这个 终端 应当 是 decoupled 和 一个
0.1
μ
f 电容.
mixed decay 运作. 如果 这 电压 在 这 pfd 输入
是 在 0.6 × v
DD
和 0.21 × v
DD
, 这 桥 运作
在 mixed decay 模式, 作 决定 用 这 步伐 sequence
(显示 在 计算数量 2 通过 5). 作 这 trip 要点 是 reached,
这 设备 变得 在 快 decay 模式 直到 这 电压
在 这 rcx 终端 decays 至 这 一样 水平的 作 电压
应用 至 这 pfd 终端. 这 时间 那 这 设备 oper-
ates 在 快 decay 是 近似 用:
t
FD
= r
T
C
T
ln (0.6v
DD
/v
PFD
)
之后 这个 快 decay portion, 这 设备 switches 至 慢
decay 模式 为 这 remainder 的 这 fixed 止-时间 时期.
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