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资料编号:12325
 
资料名称:IRGPS40B120U
 
文件大小: 116.79K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRGPS40B120U
www.irf.com 7
图. 17
- 典型 门 承担
vs. v
GE
I
CE
= 40a; l = 600µh
图. 16
- 典型值 电容 vs. v
CE
V
GE
= 0v; f = 1mhz
0 20 40 60 80 100
V
CE
(v)
10
100
1000
10000
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
Cies
Coes
Cres
0 50 100 150 200 250 300 350 400
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
G
E
(
V
)
600V
800V
图 18.
normalized 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况 (igbt)
1e-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
0.01
0.1
1
10
T
h
e
r
m
一个
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
C
)
0.20
0.10
d = 0.50
0.02
0.01
0.05
单独的 脉冲波
( 热的 回馈 )
注释:
1. 职责 因素 d = t1/t2
2. 顶峰 tj = p dm x zthjc + tc
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