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资料编号:12325
 
资料名称:IRGPS40B120U
 
文件大小: 116.79K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ultrafast igbt
IRGPS40B120U
insulated 门 双极 晶体管
特性
V
CES
= 1200v
V
ce(在)
典型值 = 3.12v
@ v
GE
= 15v,
I
CE
= 40a, tj=25°c
1/28/04
绝对 最大 比率

参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 1200 V
I
C
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 80
I
C
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 40
I
CM
搏动 集电级 电流 160 一个
I
LM
clamped inductive 加载 电流 160
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 595
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 238
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
• 非 punch 通过 igbt 技术.
• 10µs 短的 电路 能力.
• 正方形的 rbsoa.
• 积极的 vce (在) 温度 系数.
• 超级的-247 包装.
益处

www.irf.com 1
• benchmark 效率 为 发动机 控制.
• 坚毅的 瞬时 效能.
• 低 emi.
• significantly 较少 snubber 必需的
• 极好的 电流 分享 在 并行的 运作.
超级的
-
247™
E
G
C
n-频道

参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt ––– ––– 0.20 °c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 ––– 0.24 –––
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载 ––– ––– 40
推荐 clip 强迫 20 (2) ––– ––– n(kgf)
Wt 重量 ––– 6.0 (0.21) ––– g (oz)
Le 内部的 发射级 电感 (5mm 从 包装) ––– 13 ––– nH
热的 阻抗
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