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资料编号:12325
 
资料名称:IRGPS40B120U
 
文件大小: 116.79K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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IRGPS40B120U
4 www.irf.com
图. 6
- 典型值 igbt 输出 特性
T
J
= 25°c; tp = 80µs
图. 5
- 典型值 igbt 输出 特性
T
J
= -40°c; tp = 80µs
图. 8
- 典型值 转移 特性
V
CE
= 50v; tp = 10µs
图. 7
- 典型值 igbt 输出 特性
T
J
= 125°c; tp = 80µs
012345
V
CE
(v)
0
20
40
60
80
100
120
I
C
E
(
一个
)
V
GE
= 18v
vge = 15v
vge = 12v
vge = 10v
vge = 8.0v
0246
V
CE
(v)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
C
E
(
一个
)
V
GE
= 18v
vge = 15v
vge = 12v
vge = 10v
vge = 8.0v
0 5 10 15 20
V
GE
(v)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
C
E
(
一个
)
T
J
= 25°c
T
J
= 125°c
T
J
= 125°c
T
J
= 25°c
0246
V
CE
(v)
0
20
40
60
80
I
C
E
(
一个
)
V
GE
= 18v
vge = 15v
vge = 12v
vge = 10v
vge = 8.0v
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