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资料编号:123535
 
资料名称:ADG451BR
 
文件大小: 161.75K
   
说明
 
介绍:
LC2MOS 5 ohm RON SPST Switches
 
 


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adg451/adg452/adg453
rev. 一个
–6–
TERMINOLOGY
V
DD
大多数 积极的 电源 供应 潜在的.
V
SS
大多数 负的 电源 供应 潜在的 在 双
供应. 在 单独的 供应 产品, 它 将 是
连接 至 地.
V
L
逻辑 电源 供应 (+5 v).
地面 (0 v) 涉及.
S 源 终端. 将 是 一个 输入 或者 输出.
D 流 终端. 将 是 一个 输入 或者 输出.
逻辑 控制 输入.
R
ohmic 阻抗 在 d 和 s.
R
在 阻抗 相一致 在 任何 二 途径
i.e., r
最大值 – r
最小值
R
flat(在)
flatness 是 定义 作 这 区别 在 这
最大 和 最小 值 的 在-阻抗 作
量过的 在 这 指定 相似物 信号 范围.
I
S
(止) 源 泄漏 电流 和 这 转变 “off.”
I
D
(止) 流 泄漏 电流 和 这 转变 “off.”
I
D
, i
S
(在) 频道 泄漏 电流 和 这 转变 “on.”
V
D
(v
S
) 相似物 电压 在 terminals d, s.
C
S
(止) “off” 转变 源 电容.
C
D
(止) “off” 转变 流 电容.
C
D
, c
S
(在) “on” 转变 电容.
t
延迟 在 应用 这 数字的 控制 输入
和 这 输出 切换 在. 看 测试 电路 4.
t
延迟 在 应用 这 数字的 控制 输入
和 这 输出 切换 止.
t
D
“off” 时间 或者 “on” 时间 量过的 在
这 90% 点 的 两个都 switches, 当 切换
从 一个 地址 状态 至 另一. 看 测试
电路 5.
串扰 一个 measure 的 unwanted 信号 结合 通过
从 一个 频道 至 另一 作 一个 结果 的 para-
sitic 电容.
止 分开 一个 measure 的 unwanted 信号 连接 通过
一个 “off” 转变.
承担 一个 measure 的 这 glitch impulse transferred
Injection 从 这 数字的 输入 至 这 相似物 输出 dur-
ing 切换.
9
8
0
4
3
2
1
6
5
7
–16.5
V
D
或者 v
S
流 或者 源 电压 – v
T
一个
= +25
C
V
L
= +5v
V
DD
= +5v
V
SS
= –5v
V
DD
= +13.5v
V
SS
= –13.5v
R
V
DD
= +16.5v
V
SS
= –16.5v
V
DD
= +15v
V
SS
= –15v
–13.5
–10.5
–7.5
–4.5
–1.5
1.5
4.5
7.5
10.5
13.5
16.5
图示 1. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
)
为 各种各样的 双 供应
15
–10 –5
0510
0
4
3
2
1
6
5
7
V
D
或者 v
S
流 或者 源 电压 – v
–15
R
+85
C
V
DD
= +15v
V
SS
= –15v
V
L
= +5v
+25
C
–40
C
图示 2. 在 阻抗 作 一个 函数 的 v
D
(v
S
)
为 不同的 温度 和 双 供应
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