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资料编号:123553
 
资料名称:ADG1204YRU
 
文件大小: 453.75K
   
说明
 
介绍:
2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, +-15 V/12 V 4:1 iCMOS Multiplexer
 
 


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初步的 技术的 数据 ADG1204
rev. prd | 页 3 的 16
规格
双 供应
V
DD
= 15 v ± 10%, v
SS
= −15 v, 地 = 0 v, 除非 否则 指出.
表格 1.
参数 25°C 85°C y 版本
1
单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 V
DD
至 v
SS
V
在 阻抗 (r
) 120 160 180 Ω 典型值 V
S
= ±10 v, i
S
= −10 毫安; 图示 21
Ω 最大值
在 阻抗 相一致 在
途径 (∆r
)
5
Ω 典型值
V
S
= ±10 v, i
S
= −10 毫安
Ω 最大值
在 阻抗 flatness (r
flat(在)
) 25 Ω 典型值 V
S
= −5 v, 0 v, +5 v; i
S
= −10 毫安
50 Ω 最大值
泄漏 电流 V
DD
= +10 v, v
SS
= −10 v
源 止 泄漏, i
S
(止) ±0.01 na 典型值 V
S
= 0 v/10 v, v
D
= 10 v/0 v; 图示 22
±0.5 ±1 ±5 na 最大值
流 止 泄漏, i
D
(止) ±0.01 na 典型值 V
S
= 0 v/10 v, v
D
= 10 v/0 v; 图示 22
±0.5 ±1 ±5 na 最大值
频道 在 泄漏, i
D
, i
S
(在) ±0.04 na 典型值 V
S
= v
D
= 0 v 或者 10 v; 图示 23
±1 ±2 ±5 na 最大值
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.0 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 v 最大值
输入 电流, i
INL
或者 i
NH
0.005 µa 典型值 V
= v
INL
或者 v
INH
±0.5 µa 最大值
数字的 输入 电容, c
5 pf 典型值
动态 特性
2
转变 时间, t
TRANS
40 ns 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 35 pf
ns 最大值 v
S
= ±10 v; 图示 24
t
(en) 40 ns 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 35 pf
90 ns 最大值 V
S
= ±10 v; 图示 24
t
(en) 20 ns 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 35 pf
40 ns 最大值 V
S
= ±10 v; 图示 24
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
D
15 ns 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 35 pf
1 ns 最小值 V
S1
= v
S2
= 10 v; 图示 25
承担 injection 1 pc 典型值 V
S
= 0 v, r
S
= 0 Ω, c
L
= 1 nf; 图示 26
止 分开 75 db 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz; 图示 27
频道-至-频道 串扰 85 db 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz; 图示 28
总的 调和的 扭曲量 + 噪音 0.002 % 典型值 R
L
= 600 Ω, 5 v rms, f = 20 hz 至 20 khz
−3 db 带宽 700 mhz 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf; 图示 29
C
S
(止) 2 pf 典型值
C
D
(止) 7 pf 典型值
C
D
, c
S
(在) 4 pf 典型值
电源 (所需的)东西 V
DD
= +16.5 v, v
SS
= −16.5 v
I
DD
0.001 µa 典型值 数字的 输入 = 0 v 或者 v
DD
5.0 µa 最大值
I
DD
150 µa 典型值 数字的 输入 = 5 v
300 µa 最大值
I
SS
0.001 µa 典型值 数字的 输入 = 0 v 或者 v
DD
5.0 µa 最大值
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