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资料编号:123553
 
资料名称:ADG1204YRU
 
文件大小: 453.75K
   
说明
 
介绍:
2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, +-15 V/12 V 4:1 iCMOS Multiplexer
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步的 技术的 数据 ADG1204
rev. prd | 页 7 的 16
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c, 除非 其它wise 指出.
表格 4.
参数 比率
V
DD
至 v
SS
38 v
V
DD
至 地 −0.3 v 至 +25 v
V
SS
至 地 +0.3 v 至 −25 v
相似物 输入
1
V
SS
− 0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
数字的 输入
地 − 0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v 或者
30 毫安, whichever occurs 第一
顶峰 电流, s 或者 d
100 毫安 (搏动 在 1 ms, 10%
职责 循环 最大值)
持续的 电流, s 或者 d 30 毫安
运行 温度 范围
工业的 (b 版本) −40°c 至 +85°c
automotive (y version) −40°c 至 +125°c
存储 温度 范围 −65°c 至 +150°c
接合面 温度 150°C
14-含铅的 tssop, θ
JA
热的
阻抗
150.4°c/w
12-含铅的 lfcsp, θ
JA
热的
阻抗
30.4°c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 s) 215°C
infrared (15 s) 220°C
1
overvoltages 在 在, s, 或者 d 是 clamped用 内部的 二极管. 电流 应当 是
限制 至 这 最大 比率 给.
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力
比率 仅有的; 函数的 运作 的这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的 sections
的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响
设备 可靠性. 仅有的 一个 绝对 最大 比率 将 是
应用 在 任何 一个 时间.
真实 表格
表格 5.
en a1 a0 s1 s2 s3 s4
0 X X
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
静电释放 提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily accumulate 在
这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 without 发现. 虽然这个 产品 特性
专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 damage 将 出现 在 设备 subjected 至 高 活力
静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放预防措施 是 推荐 至 避免 效能
降级 或者 丧失 的 符合实际.
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