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资料编号:123553
 
资料名称:ADG1204YRU
 
文件大小: 453.75K
   
说明
 
介绍:
2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, +-15 V/12 V 4:1 iCMOS Multiplexer
 
 


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ADG1204 初步的 技术的 数据
rev. prd | 页 4 的 16
参数 25°C 85°C y 版本
1
单位 测试 情况/comments
I
0.001 µa 典型值 数字的 输入 = 0 v 或者 v
DD
5.0 µa 最大值
I
150 µa 典型值 数字的 输入 = 5 v
300 µa 最大值
1
y 版本 温度 range 是 −40°c至 +125°c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
V
DD
= +5 v ± 10%, v
SS
= −5 v ± 10%, 地 = 0 v, 除非 否则 指出.
表格 2.
参数 25°c 85°c y 版本
1
单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围
V
SS
至 v
DD
V
在 阻抗 (r
) 220 Ω 典型值 V
S
= ±3.3 v, i
S
= −10 毫安; 图示 21
Ω 最大值
在 阻抗 相一致 在
途径 (∆r
)
10 Ω 典型值
Ω 最大值 v
S
= ±3.3 v, i
S
= −10 毫安
在 阻抗 flatness (r
flat(在)
) 30 Ω 典型值 V
S
= ±3.3 v, i
S
= −10 毫安
Ω 最大值
泄漏 电流 V
DD
= 5.5 v, v
SS
= −5.5 v
源 止 泄漏, i
S
(止) ±0.01 na 典型值 V
D
= ±4.5 v, v
S
= ±4.5 v; 图示 22
±0.5 ±1 ±5 na 最大值
流 止 泄漏, i
D
(止) ±0.01 na 典型值 V
D
= ±4.5 v, v
S
= ±4.5 v; 图示 22
±0.5 ±1 ±5 na 最大值
频道 在 泄漏, i
D
, i
S
(在) ±0.04 na 典型值 V
D
= v
S
= ±4.5 v; 图示 23
±1 ±2 ±5 na 最大值
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.0 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 v 最大值
输入 电流, i
INL
或者 i
INH
0.005 µa 典型值 V
= v
INL
或者 v
INH
±0.5 µa 最大值
数字的 输入 电容, c
5 pf 典型值
动态 特性
2
t
160 ns 典型值 r
L
= 300 Ω, c
L
= 35 pf
ns 最大值 v
S
= 3 v; 图示 24
t
60 ns 典型值 r
L
= 300 Ω, c
L
= 35 pf
ns 最大值 v
S
= 3 v; 图示 24
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
D
50 ns 典型值 r
L
= 300 Ω, c
L
= 35 pf
1 ns 最小值 v
S1
= v
S2
= 3 v; 图示 25
承担 injection 20 pc 典型值 V
S
= 0 v, r
S
= 0 Ω, c
L
= 1 nf; 图示 26
pc 最大值
止 分开 56
db 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz; 图示 27
频道-至-频道 串扰 60 db 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz; 图示 28
−3 db 带宽 20 mhz 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf; 图示 29
C
S
(止) 15 pf 典型值 f = 1 mhz
C
D
(止) pf 典型值 f = 1 mhz
C
D
, c
S
(在) 100 pf 典型值 f = 1 mhz
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