先进的 电源
n-频道 增强 模式
electronics corp.
电源 场效应晶体管
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有能力 的 2.5v 门 驱动
BV
DSS
20V
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更小的 在-阻抗
R
ds(在)
32m
Ω
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▼
▼
▼
表面 挂载 包装
I
D
5.3a
描述
绝对 最大 比率
标识 单位
V
DS
V
V
GS
V
I
D
@T
一个
=25
℃
一个
I
D
@T
一个
=70
℃
一个
I
DM
一个
P
D
@T
一个
=25
℃
W
w/
℃
T
STG
℃
T
J
℃
标识 值 单位
rthj-一个 热的 阻抗 接合面-包围的
3
最大值 90
℃
/w
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意
200509032
AP2306N
参数 比率
流-源 电压 20
门-源 电压
持续的 流 电流
3
, v
GS
@ 4.5v
5.3
持续的 流 电流
3
, v
GS
@ 4.5v
4.3
搏动 流 电流
1,2
10
总的 电源 消耗 1.38
-55 至 150
运行 接合面 温度 范围 -55 至 150
直线的 减额 因素 0.01
热的 数据
参数
存储 温度 范围
±
12
G
D
S
D
G
S
sot-23
先进的 电源 mosfets 使用 先进的 处理 技巧 至
达到 这 最低 可能 在-阻抗, 极其 效率高的 和
费用-成效 设备.
这 sot-23 包装 是 universally 使用 为 所有 商业的-工业的
产品.
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