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资料编号:137492
 
资料名称:AP2306N
 
文件大小: 72.51K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 characteristics@t
j
=25
o
c(除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
=0v, i
D
=250uA 20 - - V
Δ
B
V
DSS
/
Δ
T
j
损坏 电压 温度 系数
涉及 至 25
, i
D
=1mA - 0.1 - v/
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
=10v, i
D
=5.5a - - 27
m
Ω
V
GS
=4.5v, i
D
=5.3a - - 32
m
Ω
V
GS
=2.5v, i
D
=2.6a - - 50
m
Ω
V
GS
=1.8v, i
D
=1.0a - - 90
m
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
, i
D
=250uA 0.5 - - V
g
fs
向前 跨导 V
DS
=5v, i
D
=5.3a - 13 - S
I
DSS
流-源 泄漏 电流 (t
j
=25
o
c)
V
DS
=20v, v
GS
=0V - - 1
uA
流-源 泄漏 电流 (t
j
=55
o
c)
V
DS
=16v ,v
GS
=0V - - 10
uA
I
GSS
门-源 泄漏 V
GS
=--
nA
Q
g
总的 门 承担
2
I
D
=5.3a - 8.7 -
nC
Q
gs
门-源 承担 V
DS
=10V - 1.5 -
nC
Q
gd
门-流 ("miller") 承担 V
GS
=4.5v - 3.6 -
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
2
V
DS
=15V - 6 -
ns
t
r
上升 时间 I
D
=1A - 14 -
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 R
G
=2
Ω
,
V
GS
=10V - 18.4 -
ns
t
f
下降 时间 R
D
=15
Ω
- 2.8 -
ns
C
iss
输入 电容 V
GS
=0V - 603 -
pF
C
oss
输出 电容 V
DS
=15V - 144 -
pF
C
rss
反转 转移 电容 f=1.0mhz - 111 -
pF
源-流 二极管
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
SD
向前 在 电压
2
I
S
=1.2a, v
GS
=0V - - 1.2 V
trr
反转 恢复 时间
I
S
=5a, v
GS
=0v, - 16.8 -
ns
Qrr 反转 恢复 承担 di/dt=100a/µs - 11 - nC
注释:
1.脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
2.脉冲波 宽度 <
300us , 职责 循环 <2%.
3.表面 挂载 在 1 在
2
铜 垫子 的 fr4 板 ; 270
/w 当 挂载 在 最小值 铜 垫子.
AP2306N
± 12
V
±
100
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