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资料编号:137492
 
资料名称:AP2306N
 
文件大小: 72.51K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AP2306N
图 1. 典型 输出 特性 图 2. 典型 输出 特性
图 3. 在-阻抗 v.s. 门 电压 图 4. normalized 在-阻抗
v.s. 接合面 温度
图 5. 向前 典型的 的 图 6. 门 门槛 电压 v.s.
反转 二极管
接合面 温度
0
20
40
60
80
01234567
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
=25
o
C
V
G
=2.5v
4.0v
5.0v
4.5v
0
10
20
30
40
50
012345678
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
=150
o
C
4.0v
V
G
=2.5v
4.5v
5.0v
0.01
0.1
1
10
100
0 0.4 0.8 1.2 1.6
V
SD
, 源-至-流 电压 (v)
I
S
(一个)
T
j
=25
o
CT
j
=150
o
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50 0 50 100 150
T
j
, 接合面 温度 (
o
c )
V
gs(th)
(v)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50 0 50 100 150
T
j
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized r
ds(在)
V
G
=4.5v
I
D
=5.3a
20
40
60
80
100
1357911
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
R
ds(在)
(m
Ω
Ω
Ω
Ω
)
I
D
=5.3a
T
一个
=25
o
C
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