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资料编号:138433
资料名称:
APM4532KC-TR
文件大小: 205.51K
说明
:
介绍
:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - sep., 2002
www.anpec.com.tw
2
APM4532
APM4532
标识 参数
测试 情况
最小值
典型值 最大值
单位
静态的
n-ch
30
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
=0v , i
DS
=250
µ
一个
p-ch
-30
V
V
DS
=24v , v
GS
=0V
n-ch
1
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
=-24v , v
GS
=0V
p-ch
-1
µ
一个
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
n-ch
1 1.5 2
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=-250
µ
一个
p-ch
-1 -1.5 -2
V
n-ch
±100
I
GSS
门 泄漏 电流
V
GS
=
±
25v , v
DS
=0V
p-ch
±100
nA
V
GS
=10v , i
DS
=5A
35 45
V
GS
=4.5v , i
DS
=4A
n-ch
60 70
V
GS
=-10v , i
DS
=-3.5a
85 95
R
ds(在)
一个
流-源 在-状态
阻抗
V
GS
=-4.5v , i
DS
=-2.5a
p-ch
135 150
m
Ω
I
SD
=1.7a , v
GS
=0v n-ch
0.7 1.3
V
SD
一个
二极管 向前 电压
I
SD
=-1.7a , v
GS
=0v p-ch
-0.7 -1.3
V
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
标识 参数 n-频道 p-频道 单位
V
DSS
流-源 电压
30
-30
V
GSS
门-源 电压
±25
±25
V
I
D
*
最大 流 电流 – 持续的
5
-3.5
I
DM
最大 流 电流 – 搏动
20
-20
一个
T
一个
=25
°
C
2 2
P
D
最大 电源 消耗
T
一个
=100
°
C
0.8 0.8
W
T
J
最大 接合面 温度
150
°
C
T
STG
存储 温度 范围
-55 至 150
°
C
R
θ
jA
热的 阻抗 – 接合面 至 包围的
62.5
°
c/w
* 表面 挂载 在 fr4 板, t
≤
10 秒.
注释
一个
: 脉冲波 测试 ; 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2
%
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