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资料编号:138433
 
资料名称:APM4532KC-TR
 
文件大小: 205.51K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - sep., 2002
www.anpec.com.tw
3
APM4532
注释
一个
: 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试
电的 特性 (内容.)
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
APM4532
标识 参数 测试 情况
最小值
典型值 最大值
单位
动态
一个
n-ch
7 15
Q
g
总的 门 承担
p-ch
8 15
n-ch
4.7
Q
gs
门-源 承担
p-ch
2
n-ch
1.1
Q
gd
门-流 承担
n-频道
V
DS
=10v , i
DS
= 5a
V
GS
=4.5v
p-频道
V
DS
=-10v , i
DS
=-3.5a
V
GS
=-4.5v
p-ch
1
nC
n-ch
10 15
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
p-ch
8 15
n-ch
8 20
T
r
转变-在 上升 时间
p-ch
7 20
n-ch
20 28
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
p-ch
15 28
n-ch
5 15
T
f
转变-止 下降 时间
n-频道
V
DD
=10v , i
DS
=1a ,
V
GEN
=4.5v , r
G
=10
p-频道
V
DD
=-10v , i
DS
=-1a ,
V
GEN
=-4.5v , r
G
=10
p-ch
7 18
ns
n-ch
376
C
iss
输入 电容
p-ch
495
n-ch
115
C
oss
输出 电容
p-ch
130
n-ch
58
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0V
V
DS
=15V
频率=1.0mhz
p-ch
60
pF
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