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资料编号:138433
 
资料名称:APM4532KC-TR
 
文件大小: 205.51K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - sep., 2002
www.anpec.com.tw
5
APM4532
0 5 10 15 20
0
100
200
300
400
500
600
700
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2345678910
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
典型 特性 (内容.)
V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
R
ds(在)
-在-阻抗 (
)
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
R
ds(在)
-在-阻抗 (
)
(normalized)
在-阻抗 vs. 接合面 温度
V
GS
=10V
I
D
=5A
T
J
- 接合面 温度 (°c)
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
电容
电容 (pf)
Ciss
Coss
Crss
门 承担
Q
G
- 门 承担 (nc)
V
GS
-门-源 电压 (v)
n-频道
I
D
=5A
Frequency=1MHz
0 2 4 6 8 101214
0
2
4
6
8
10
V
DS
=10 v
I
DS
= 5 一个
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