1/22july 2000
M29F400BT
M29F400BB
4 mbit (512kb x8 或者 256kb x16, 激励 块)
单独的 供应 flash 记忆
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单独的 5v±10% 供应 电压 为
程序, 擦掉 和 读 行动
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进入 时间: 45ns
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程序编制 时间
– 8µs 每 字节/文字 典型
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11 记忆 blocks
– 1 激励 块 (顶 或者 bottom location)
– 2 参数 和 8 主要的 blocks
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程序/擦掉 控制
– embedded 字节/文字 程序 algorithm
– embedded multi-块/碎片 擦掉 algorithm
– 状态 寄存器 polling 和 toggle 位
– 准备好/busy 输出 管脚
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擦掉 suspend 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 suspend
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unlock 绕过 程序 command
– faster 生产/批 程序编制
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temporary 块 unprotection
模式
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低 电源 消耗量
– 备用物品 和 自动 备用物品
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
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20 年 数据 保持
– defectivity 在下 1 ppm/年
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电子的 signature
– 生产者 代号: 0020h
– 顶 设备 代号 m29f400bt: 00d5h
– bottom 设备 代号 m29f400bb: 00d6h
44
1
tsop48 (n)
12 x 20mm
so44 (m)
图示 1. 逻辑 图解
AI02904
18
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W
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V
CC
M29F400BT
M29F400BB
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V
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15
G
RP
DQ15A–1
字节
RB
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