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资料编号:163645
 
资料名称:BCP56T3
 
文件大小: 79K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Epitaxial Transistor
 
 


: 点此下载
 
1
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 industries, llc, 2004
六月, 2004 − rev. 3
1
发行 顺序 号码:
bcp56t1/d
bcp56t1 序列
preferred 设备
npn 硅
外延的 晶体管
这些 npn 硅 外延的 晶体管 是 设计 为 使用 在
音频的 放大器 产品. 这 设备 是 housed 在 这 sot-223
包装, 这个 是 设计 为 中等 电源 表面 挂载
产品.
特性
pb−free 包装 是 有
高 电流: 1.0 放大
formed leads absorb 热的 压力 在 焊接, eliminating 这
possibility 的 损坏 至 这 消逝
有 在 12 mm 录音带 和 卷轴
使用 bcp56t1 至 顺序 这 7 inch/1000 单位 卷轴
使用 bcp56t3 至 顺序 这 13 inch/4000 单位 卷轴
pnp complement 是 bcp53t1
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
集电级-发射级 电压 V
CEO
80 Vdc
集电级-根基 电压 V
CBO
100 Vdc
发射级-根基 电压 V
EBO
5 Vdc
集电级 电流 I
C
1 模数转换器
总的 电源 消耗
@ t
一个
= 25
°
c (便条 1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
65 至 150
°
C
最大比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗
Junction−to−Ambient
(表面 挂载)
R
JA
83.3
°
c/w
最大 温度 为
焊接 目的
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
1. 设备 挂载 在 一个 fr-4 glass 环氧的 打印 电路 板 1.575 在 x
1.575 在 x 0.0625 在; 挂载 垫子 为 这 集电级 含铅的 = 0.93 sq in.
SOT−223
情况 318e
样式 1
标记 图解
AWW
xxxx
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
集电级 2,4
根基
1
发射级
3
中等 电源 npn 硅
高 电流 晶体管
表面 挂载
1
2
3
4
http://onsemi.com
xxxx = 明确的 设备 代号
一个 = 组装 location
WW = 工作 week
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
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