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资料编号:163645
 
资料名称:BCP56T3
 
文件大小: 79K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Epitaxial Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcp56t1 序列
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector−base 损坏 电压
(i
C
= 100
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
100 Vdc
collector−emitter 损坏 电压
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
80 Vdc
emitter−base 损坏 电压
(i
E
= 10
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
5.0 Vdc
collector−base 截止 电流
(v
CB
= 30 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
100 nAdc
发射级-根基 截止 电流
(v
EB
= 5.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
10
模数转换器
在 特性
(便条 2)
直流 电流 增益
(i
C
= 5.0 毫安, v
CE
= 2.0 v) 所有 部分 类型
(i
C
= 150 毫安, v
CE
= 2.0 v) BCP56T1
bcp56-10t1
bcp56-16t1
(i
C
= 500 毫安, v
CE
= 2.0 v) 所有 类型
h
FE
25
40
63
100
25
250
160
250
collector−emitter 饱和 电压
(i
C
= 500 madc, i
B
= 50 madc)
V
ce(sat)
0.5 Vdc
根基-发射级 在 电压
(i
C
= 500 madc, v
CE
= 2.0 vdc)
V
是(在)
1.0 Vdc
动态 特性
current−gain − 带宽 产品
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 5.0 vdc, f = 35 mhz)
f
T
130 MHz
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2.0%
订货 信息
设备 标记 包装 Shipping
BCP56T1 BH SOT−223 1000 / 录音带 &放大; 卷轴
BCP56T3 BH SOT−223 4000 / 录音带 &放大; 卷轴
BCP56−10T1 BH−10 SOT−223 1000 / 录音带 &放大; 卷轴
BCP56−16T1 SOT−223 1000 / 录音带 &放大; 卷轴
BCP56−16T1G
BH−16
SOT−223
(pb−free)
1000 / 录音带 &放大; 卷轴
BCP56−16T3 SOT−223 4000 / 录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格, 包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请 谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装
规格 brochure, brd8011/d.
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