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资料编号:163801
 
资料名称:BCR191
 
文件大小: 490.37K
   
说明
 
介绍:
PNP Silicon Digital Transistor
 
 


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将-18-2004
2
bcr191.../semb1
最大 比率
参数
标识 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
50 V
集电级-根基 电压
V
CBO
50
发射级-根基 电压
V
EBO
10
输入 在 电压
V
i(在)
30
集电级 电流
I
C
100 毫安
总的 电源 消耗-
bcr191,
T
S
102°C
bcr191f,
T
S
128°C
bcr191l3,
T
S
135°C
bcr191s,
T
S
115°C
bcr191t,
T
S
109°C
bcr191w,
T
S
124°C
semb1,
T
S
75°C
P
tot
200
250
250
250
250
250
250
mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
150 ... -65
热的 阻抗
参数
标识 单位
接合面 - 焊接 要点
1)
BCR191
BCR191F
BCR191L3
BCR191S
BCR191T
BCR191W
SEMB1
R
thJS
240
90
60
140
165
105
300
k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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