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将-18-2004
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bcr191.../semb1
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 100 µa,
I
B
= 0
V
(br)ceo
50 - -
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
E
= 0
V
(br)cbo
50 - -
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 40 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100 nA
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 10 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 350 µA
直流 电流 增益
1)
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 5 v
h
FE
50 - - -
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0,5 毫安
V
CEsat
- - 0,3 V
输入 止 电压
I
C
= 100 µa,
V
CE
= 5 v
V
i(止)
0,8 - 1,5
输入 在 电压
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 0,3 v
V
i(在)
1 - 2,5
输入 电阻
R
1
15 22 29
k
Ω
电阻 比率
R
1
/
R
2
0,9 1 1,1 -
交流 特性
转变 频率
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 100 mhz
f
T
- 200 - MHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
cb
- 3 - pF
1
脉冲波 测试: t < 300µs; d < 2%

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将-18-2004 3 bcr191.../semb1 电的特性在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性集电级-发射级损坏电压 I C = 100 µa, I B = 0 V (br)ceo 50 - - V 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µa, I E = 0 V (br)cbo 50 - - 集电级-根基截止电流 V CB = 40 v, I E = 0 I CBO - - 100 nA 发射级-根基截止电流 V EB = 10 v, I C = 0 I EBO - - 350 µA 直流电流增益 1) I C = 5 毫安, V CE = 5 v h FE 50 - - - 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0,5 毫安 V CEsat - - 0,3 V 输入止电压 I C = 100 µa, V CE = 5 v V i(止) 0,8 - 1,5 输入在电压 I C = 2 毫安, V CE = 0,3 v V i(在) 1 - 2,5 输入电阻 R 1 15 22 29 k Ω 电阻比率 R 1 / R 2 0,9 1 1,1 - 交流特性转变频率 I C = 10 毫安, V CE = 5 v, f = 100 mhz f T - 200 - MHz 集电级-根基电容 V CB = 10 v, f = 1 mhz C cb - 3 - pF 1 脉冲波测试: t < 300µs; d < 2%

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