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将-18-2004
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bcr191.../semb1
直流 电流 增益
h
FE
=
ƒ
(
I
C
)
V
CE
= 5 v (一般 发射级 配置)
10
-1
10
0
10
1
10
2
毫安
I
C
0
10
1
10
2
10
3
10
-
h
FE
集电级-发射级 饱和 电压
V
CEsat
=
ƒ
(
I
C
),
h
FE
= 20
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
1
V
CEsat
0
10
1
10
2
10
毫安
I
C
输入 在 电压
V
i
(在)
=
ƒ
(
I
C
)
V
CE
= 0.3v (一般 发射级 配置)
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
i(在)
-1
10
0
10
1
10
2
10
毫安
I
C
输入 止 电压
V
i(止)
=
ƒ
(
I
C
)
V
CE
= 5v (一般 发射级 配置)
0 0.5 1 1.5 2
V
3
V
i(止)
-2
10
-1
10
0
10
1
10
毫安
I
C

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将-18-2004 4 bcr191.../semb1 直流电流增益 h FE = ƒ ( I C ) V CE = 5 v (一般发射级配置) 10 -1 10 0 10 1 10 2 毫安 I C 0 10 1 10 2 10 3 10 - h FE 集电级-发射级饱和电压 V CEsat = ƒ ( I C ), h FE = 20 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 V 1 V CEsat 0 10 1 10 2 10 毫安 I C 输入在电压 V i (在) = ƒ ( I C ) V CE = 0.3v (一般发射级配置) 10 -1 10 0 10 1 10 2 V V i(在) -1 10 0 10 1 10 2 10 毫安 I C 输入止电压 V i(止) = ƒ ( I C ) V CE = 5v (一般发射级配置) 0 0.5 1 1.5 2 V 3 V i(止) -2 10 -1 10 0 10 1 10 毫安 I C

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